考虑悬浮哑元的互连电路寄生电容提取算法研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 引言 | 第7-17页 |
| 1.1 研究动机和背景 | 第7-14页 |
| 1.1.1 互连线寄生效应对集成电路的影响 | 第8-9页 |
| 1.1.2 哑元填充对集成电路的影响 | 第9-13页 |
| 1.1.3 寄生电容参数提取算法的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.2 本文的研究内容和主要贡献 | 第14-16页 |
| 1.3 本文的组织结构 | 第16-17页 |
| 第2章 随机的寄生电容提取算法 | 第17-31页 |
| 2.1 寄生电容参数提取的问题定义 | 第17-19页 |
| 2.1.1 不含哑元电路的寄生电容参数提取 | 第17-18页 |
| 2.1.2 含哑元电路的寄生电容参数提取 | 第18-19页 |
| 2.2 基于随机行走的寄生电容提取算法 | 第19-30页 |
| 2.2.1 标准的随机行走算法——FRW算法 | 第19-24页 |
| 2.2.2 考虑哑元的随机行走算法——MRW算法 | 第24-26页 |
| 2.2.3 结构化的随机行走算法——HFRW算法 | 第26-30页 |
| 2.3 本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 考虑哑元的寄生电容提取算法 | 第31-51页 |
| 3.1 概述 | 第31-32页 |
| 3.2 预处理阶段 | 第32-41页 |
| 3.2.1 含哑元电路的区域分解 | 第33-34页 |
| 3.2.2 马尔可夫转移矩阵(MTM)的计算 | 第34-37页 |
| 3.2.3 Max-Cube采样器的初始化 | 第37-41页 |
| 3.3 电容提取阶段 | 第41-50页 |
| 3.3.1 子过程1——子哑元区域的随机行走过程 | 第43-44页 |
| 3.3.2 子过程2——哑元区域的概率转移过程 | 第44-46页 |
| 3.3.3 子过程3——外部区域的随机行走过程 | 第46-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 实验数据及结果分析 | 第51-59页 |
| 4.1 概述 | 第51-52页 |
| 4.2 算法精度的实验结果与分析 | 第52-54页 |
| 4.3 算法速度的实验结果与分析 | 第54-56页 |
| 4.4 算法的收敛性分析 | 第56-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第5章 总结与展望 | 第59-62页 |
| 5.1 全文总结 | 第59页 |
| 5.2 创新点总结 | 第59-60页 |
| 5.3 未来工作展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 硕士期间已发表文章列表 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
