| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 引言 | 第5-7页 |
| ·高压集成电路与高压MOSFET发展现状 | 第5-6页 |
| ·课题的意义和论文结构 | 第6-7页 |
| 第二章 高压MOSFET的基本结构与原理 | 第7-15页 |
| ·MOSFET的基本工作结构与工作原理 | 第7-9页 |
| ·常见的几种高压MOSFET的结构 | 第9-15页 |
| ·垂直功率MOSFET(VVMOS VUMOS VDMOS) | 第10-13页 |
| ·横向扩散MOS(LDMOS) | 第13页 |
| ·双扩散MOSFET(DDD) | 第13-15页 |
| 第三章 增强型高压器件的工艺建立及其优化 | 第15-44页 |
| ·相关生产制程的介绍 | 第15-25页 |
| ·13.5V高压工艺流程整合与相关模块建立和优化 | 第25-44页 |
| ·硅片的选择 | 第26页 |
| ·初始对准层与阱区建立 | 第26-28页 |
| ·硅的局部氧化隔离层的建立与优化 | 第28-32页 |
| ·器件注入与栅氧形成模块 | 第32-33页 |
| ·栅极工艺优化与PIP制程建立 | 第33-37页 |
| ·栅侧墙(spacer)工艺优化 | 第37-39页 |
| ·接触刻蚀工艺模块优化 | 第39-42页 |
| ·金属层和钝化层模块 | 第42-44页 |
| 第四章 相关器件的构成和可靠性 | 第44-65页 |
| ·高压13.5V器件 | 第44-51页 |
| ·低压3.3V器件 | 第51-58页 |
| ·可靠性 | 第58-65页 |
| ·可靠性类型 | 第58-59页 |
| ·新工艺平台可靠性结果 | 第59-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |