| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-12页 |
| ·集成电路的发展 | 第9页 |
| ·光刻技术的进步是集成电路工艺发展的驱动力 | 第9-10页 |
| ·本文研究的意义 | 第10-12页 |
| 第二章 光刻工艺评价指标与优化 | 第12-22页 |
| ·光刻基本原理 | 第12-13页 |
| ·光刻的本质 | 第12页 |
| ·光刻工艺的步骤 | 第12-13页 |
| ·深紫外光刻工艺 | 第13页 |
| ·光刻工艺评价的主要指标 | 第13-16页 |
| ·分辨率 | 第13-14页 |
| ·焦深 | 第14页 |
| ·能量容裕 | 第14-15页 |
| ·掩膜版误差因子 | 第15-16页 |
| ·光刻胶线端缩短效应 | 第16页 |
| ·光刻工艺的优化 | 第16-22页 |
| ·光刻胶光酸扩散 | 第17-18页 |
| ·光刻照明条件 | 第18-20页 |
| ·光学邻近效应修正 | 第20-22页 |
| 第三章 KrF化学增幅光刻胶光酸扩散特性的研究 | 第22-28页 |
| ·工艺条件 | 第22页 |
| ·实验结果及分析 | 第22-27页 |
| ·掩膜版误差因子 | 第22-23页 |
| ·光酸扩散长度 | 第23-24页 |
| ·光酸扩散长度随不同线宽空间周期变化特性 | 第24-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第四章 KrF化学增幅光刻胶在90nm工艺时线端缩短效应的研究 | 第28-32页 |
| ·工艺条件 | 第28页 |
| ·实验结果及分析 | 第28-31页 |
| ·基本实验 | 第28-29页 |
| ·不同PEB温度设定对比实验 | 第29-30页 |
| ·不同NA设定对比实验 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第五章 KrF化学增幅光刻胶在90nm逻辑工艺时优化的工艺条件 | 第32-40页 |
| ·工艺条件 | 第32页 |
| ·栅层 | 第32-36页 |
| ·工艺窗口 | 第32-34页 |
| ·掩膜版误差因子 | 第34页 |
| ·光学邻近效应 | 第34-36页 |
| ·栅层光刻工艺小结 | 第36页 |
| ·第一金属层 | 第36-37页 |
| ·工艺窗口 | 第36-37页 |
| ·掩膜版误差因子 | 第37页 |
| ·第一金属层光刻工艺小结 | 第37页 |
| ·接触孔层 | 第37-40页 |
| ·工艺窗口 | 第37-38页 |
| ·掩膜版误差因子 | 第38-39页 |
| ·光学邻近效应 | 第39页 |
| ·接触孔层光刻工艺小结 | 第39-40页 |
| 第六章 结论 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |