| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 课题的目的和意义 | 第9-12页 |
| 1.2 铝金属的应用以及CMP技术 | 第12-14页 |
| 1.2.1 铝金属的结构及性质 | 第12-13页 |
| 1.2.2 CMP技术概述 | 第13-14页 |
| 1.3 铝栅CMP的发展及其存在的问题分析 | 第14-15页 |
| 1.4 课题主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 铝栅CMP机理分析及实验条件 | 第17-29页 |
| 2.1 课题研究的科学依据 | 第17-20页 |
| 2.2 碱性条件下铝栅CMP机理分析 | 第20-21页 |
| 2.3 铝栅CMP平整度的核心参数 | 第21-22页 |
| 2.4 实验设备与材料 | 第22-25页 |
| 2.4.1 E460抛光机 | 第22页 |
| 2.4.2 电化学工作站 | 第22-23页 |
| 2.4.3 原子力显微镜 | 第23页 |
| 2.4.4 分析天平 | 第23-24页 |
| 2.4.5 接触角测量仪 | 第24页 |
| 2.4.6 pH计 | 第24-25页 |
| 2.4.7 磁力搅拌器 | 第25页 |
| 2.4.8 实验材料 | 第25页 |
| 2.5 化学试剂 | 第25-29页 |
| 2.5.1 氧化剂的选择 | 第25-26页 |
| 2.5.2 pH调节剂的选择 | 第26-27页 |
| 2.5.3 磨料的选择 | 第27-28页 |
| 2.5.4 表面活性剂的选择 | 第28-29页 |
| 第三章 铝栅CMP抛光工艺条件对表面粗糙度影响的研究 | 第29-39页 |
| 3.1 抛光垫转速对铝片表面粗糙度的影响分析 | 第30-31页 |
| 3.2 抛光压力对铝片表面粗糙度的影响分析 | 第31-33页 |
| 3.3 抛光液流速对铝片表面粗糙度的影响分析 | 第33-35页 |
| 3.4 抛光时间对铝片表面粗糙度的影响分析 | 第35-36页 |
| 3.5 小结 | 第36-39页 |
| 第四章 铝栅CMP碱性抛光液组分对粗糙度的影响研究 | 第39-51页 |
| 4.1 氧化剂和FA/OⅡ型螯合剂之间相互作用研究 | 第39-43页 |
| 4.1.1 静态腐蚀规律研究 | 第39-40页 |
| 4.1.2 电化学腐蚀规律分析 | 第40-43页 |
| 4.2 氧化剂和FA/OⅡ型螯合剂对铝片表面粗糙度及去除速率影响研究 | 第43-45页 |
| 4.3 低表面粗糙度的抛光液配制研究 | 第45-48页 |
| 4.4 抛光去除速率控制优化实验 | 第48-49页 |
| 4.5 小结 | 第49-51页 |
| 第五章 高平整度铝栅CMP抛光液优化研究 | 第51-57页 |
| 5.1 FA/OⅠ型表面活性剂电化学机理研究 | 第51-54页 |
| 5.2 FA/OⅠ型表面活性剂性能研究 | 第54-55页 |
| 5.3 FA/OⅠ型表面活性剂对铝栅表面粗糙度的影响研究 | 第55-57页 |
| 第六章 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
