| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 集成电路技术的发展 | 第9-10页 |
| 1.2 多层铜互连技术的发展与新材料的引入 | 第10-12页 |
| 1.3 TSV技术的引入 | 第12-16页 |
| 1.3.1 TSV的简介 | 第12-13页 |
| 1.3.2 TSV的发展及应用 | 第13-16页 |
| 1.4 本文拟研究解决的问题及意义 | 第16-19页 |
| 第二章 化学机械平坦化机理分析研究 | 第19-29页 |
| 2.1 平坦化机理 | 第19-22页 |
| 2.1.1 铜平坦化机理分析研究 | 第19-21页 |
| 2.1.2 TSV铜CMP机理分析研究 | 第21-22页 |
| 2.2 优先吸附理论分析研究 | 第22-23页 |
| 2.3 钝化理论分析研究 | 第23页 |
| 2.4 TSV抛光液的研究现状以及发展趋势分析 | 第23-26页 |
| 2.5 小结 | 第26-29页 |
| 第三章 CMP工艺专用设备及材料 | 第29-39页 |
| 3.1 实验工艺设备介绍 | 第29-33页 |
| 3.1.1 抛光机 | 第29-30页 |
| 3.1.2 抛光垫 | 第30页 |
| 3.1.3 电化学工作站 | 第30页 |
| 3.1.4 台阶仪 | 第30-31页 |
| 3.1.5 电子分析天平 | 第31页 |
| 3.1.6 pH计 | 第31-32页 |
| 3.1.7 磁力搅拌器 | 第32页 |
| 3.1.8 接触角测试仪 | 第32-33页 |
| 3.2 TSV抛光液组分分析研究 | 第33-36页 |
| 3.2.1 纳米SiO_2溶胶磨料的分析研究 | 第33-34页 |
| 3.2.2 螯合剂的分析研究 | 第34-35页 |
| 3.2.3 氧化剂的分析研究 | 第35-36页 |
| 3.2.4 表面活性剂的分析研究 | 第36页 |
| 3.3 小结 | 第36-39页 |
| 第四章 抛光液各组分电化学实验研究 | 第39-47页 |
| 4.1 实验准备 | 第39页 |
| 4.2 氧化剂的电化学实验 | 第39-41页 |
| 4.3 磨料的电化学实验 | 第41-43页 |
| 4.4 螯合剂的电化学实验 | 第43-44页 |
| 4.5 活性剂的电化学实验 | 第44-45页 |
| 4.6 小结 | 第45-47页 |
| 第五章 TSV铜CMP速率及平坦化的研究 | 第47-59页 |
| 5.1 抛光液各组分的研究 | 第47-51页 |
| 5.1.1 SiO_2磨料浓度对Cu去除速率的影响 | 第48页 |
| 5.1.2 活性剂对Cu去除速率的影响 | 第48-49页 |
| 5.1.3 氧化剂对Cu去除速率的影响 | 第49-50页 |
| 5.1.4 螯合剂对Cu去除速率的影响 | 第50-51页 |
| 5.2 工艺参数的优化 | 第51-54页 |
| 5.2.1 转速对铜膜去除速率的影响 | 第52页 |
| 5.2.2 流量对铜膜去除速率的影响 | 第52-53页 |
| 5.2.3 压力对铜膜去除速率的影响 | 第53-54页 |
| 5.3 平坦化工艺实验研究 | 第54-58页 |
| 5.3.1 氧化剂浓度对平坦化的影响 | 第55-56页 |
| 5.3.2 螯合剂浓度对平坦化的影响 | 第56-57页 |
| 5.3.3 螯合剂与氧化剂协同作用 | 第57-58页 |
| 5.4 小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-61页 |
| 创新点 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 攻读学位期间所取得的研究成果 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71页 |