| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.2 化学机械平坦化 | 第11-16页 |
| 1.2.1 化学机械平坦化发展概况 | 第11-12页 |
| 1.2.2 化学机械平坦化机理 | 第12-14页 |
| 1.2.3 碱性条件下CMP机理及其在精抛中的应用 | 第14-16页 |
| 1.3 多层铜布线CMP精抛的研究进展 | 第16-17页 |
| 1.4 本论文的研究内容与意义 | 第17-19页 |
| 第二章 多层铜布线精抛理论分析研究 | 第19-25页 |
| 2.1 滞留层理论及其在精抛中的应用 | 第20-21页 |
| 2.2 优先吸附理论及其在精抛中的应用 | 第21-22页 |
| 2.3 多层铜布线精抛现存问题及实验方案理论研究 | 第22-25页 |
| 2.3.1 精抛碟形坑延伸问题及控制方法理论研究 | 第22-23页 |
| 2.3.2 精抛一致性差问题及提高一致性理论研究 | 第23-25页 |
| 第三章 CuCMP精抛实验方法与机理 | 第25-35页 |
| 3.1 实验设备 | 第25-29页 |
| 3.1.1 化学机械抛光设备 | 第25页 |
| 3.1.2 台阶仪 | 第25-26页 |
| 3.1.3 四探针电阻率测试仪 | 第26-27页 |
| 3.1.4 电化学工作站 | 第27-28页 |
| 3.1.5 原子力显微镜 | 第28页 |
| 3.1.6 其他实验设备 | 第28-29页 |
| 3.2 实验材料 | 第29-31页 |
| 3.2.1 FA/O型螯合剂 | 第29-30页 |
| 3.2.2 非离子表面活性剂 | 第30页 |
| 3.2.3 氧化剂 | 第30-31页 |
| 3.2.4 磨料 | 第31页 |
| 3.3 实验方法与机理 | 第31-35页 |
| 3.3.1 化学机械抛光 | 第31-32页 |
| 3.3.2 静态腐蚀 | 第32页 |
| 3.3.3 晶圆表面一致性测试 | 第32-33页 |
| 3.3.4 电化学测试 | 第33-35页 |
| 第四章 FA/OI型表面活性剂对精抛平坦化性能的影响 | 第35-43页 |
| 4.1 FA/OI型表面活性剂对Cu精抛速率的影响 | 第36-37页 |
| 4.2 FA/OI型表面活性剂对表面一致性的影响 | 第37-38页 |
| 4.3 FA/OI型表面活性剂对碟形坑控制效果的影响 | 第38-40页 |
| 4.4 FA/OI型表面活性剂对精抛后表面粗糙度的影响 | 第40-41页 |
| 4.5 本章小结 | 第41-43页 |
| 第五章 抛光垫与抛光工艺对精抛平坦化性能的影响 | 第43-51页 |
| 5.1 抛光垫对碟形坑及精抛后表面粗糙度的影响 | 第43-45页 |
| 5.2 压力对碟形坑控制效果及表面一致性的影响 | 第45-46页 |
| 5.3 流量对精抛速率及表面一致性的影响 | 第46-47页 |
| 5.4 转速对精抛速率及表面一致性的影响 | 第47-48页 |
| 5.5 抛光工艺参数在Cu互连精抛中的应用 | 第48-49页 |
| 5.6 本章小结 | 第49-51页 |
| 第六章 H_2O_2对精抛中碟形坑延伸的控制作用 | 第51-59页 |
| 6.1 碱性铜精抛液中H_2O_2的电化学特性研究 | 第51-54页 |
| 6.2 碱性精抛液中H_2O_2浓度对Cu/Ta精抛速率的影响 | 第54-55页 |
| 6.3 碱性精抛液中H_2O_2浓度对碟形坑控制效果的影响 | 第55-57页 |
| 6.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第七章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 7.1 全文总结 | 第59-60页 |
| 7.2 展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
