热电应力下倒装芯片中铜柱凸点互连的可靠性研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 倒装铜柱凸点互连简介 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究状况 | 第11-14页 |
| 1.2.1 铜柱凸点技术发展现状 | 第11-12页 |
| 1.2.2 铜柱凸点技术存在的问题 | 第12-14页 |
| 1.3 研究内容及框架 | 第14-15页 |
| 第二章 铜柱凸点温度和电流应力响应分析 | 第15-26页 |
| 2.1 红外热成像测试 | 第15-17页 |
| 2.1.1 试验样品和制备 | 第15-17页 |
| 2.1.2 红外热成像实验 | 第17页 |
| 2.2 ANSYS可靠性仿真 | 第17-19页 |
| 2.2.1 仿真模型的建立 | 第18页 |
| 2.2.2 边界条件的加载及求解 | 第18-19页 |
| 2.3 模拟计算结果与分析 | 第19-25页 |
| 2.3.1 铜柱凸点的热分布 | 第19-22页 |
| 2.3.2 铜柱凸点的等效应力分布 | 第22-23页 |
| 2.3.3 铜柱凸点的电场分布 | 第23-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 界面金属化合物生长的研究 | 第26-37页 |
| 3.1 引言 | 第26-27页 |
| 3.2 IMC层厚度生长模型 | 第27-33页 |
| 3.2.1 Cu原子通量的数值分析 | 第27-29页 |
| 3.2.2 IMC层模型的建立 | 第29-31页 |
| 3.2.3 模型的验证 | 第31-33页 |
| 3.3 IMC层极性生长的影响因素 | 第33-36页 |
| 3.3.1 电流密度对IMC层的影响 | 第33-35页 |
| 3.3.2 初始厚度对IMC层的影响 | 第35-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 热电耦合下铜柱凸点失效机制研究 | 第37-51页 |
| 4.1 热电耦合下铜柱凸点失效模式及机理分析 | 第37-44页 |
| 4.1.1 铜柱凸点热电耦合失效试验 | 第37-38页 |
| 4.1.2 常见失效模式及机理分析 | 第38-44页 |
| 4.2 铜柱凸点微观组织演变规律分析 | 第44-50页 |
| 4.2.1 恒温时效下铜柱凸点显微组织分析 | 第44-46页 |
| 4.2.2 电迁移下铜柱凸点显微组织分析 | 第46-50页 |
| 4.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 铜柱凸点可靠性模型 | 第51-60页 |
| 5.1 引言 | 第51-52页 |
| 5.2 铜柱凸点电迁移失效模型 | 第52-55页 |
| 5.2.1 电流影响指数的确定 | 第52-53页 |
| 5.2.2 激活能的确定 | 第53-55页 |
| 5.3 可靠性模型的修正 | 第55-59页 |
| 5.3.1 铜柱凸点的焦耳热效应 | 第55-57页 |
| 5.3.2 修正后的模型 | 第57-59页 |
| 5.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 总结与展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 附表 | 第68页 |
