| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·集成电路的发展 | 第9-10页 |
| ·多层铜互连技术 | 第10-12页 |
| ·化学机械平坦化技术 | 第12-14页 |
| ·低压低磨料浓度碱性铜抛光液开发的必要性 | 第14-16页 |
| ·本课题研究意义及内容 | 第16-17页 |
| 第二章 化学机械平坦化实验设备及材料 | 第17-25页 |
| ·实验设备 | 第17-19页 |
| ·抛光机 | 第17-18页 |
| ·抛光垫 | 第18页 |
| ·原子力显微镜 | 第18页 |
| ·台阶仪 | 第18-19页 |
| ·电子分析天平 | 第19页 |
| ·实验材料 | 第19-23页 |
| ·SiO_2磨料 | 第19-20页 |
| ·H_2O_2氧化剂 | 第20-21页 |
| ·FA/O型螯合剂 | 第21-22页 |
| ·FA/O型表面活性剂 | 第22-23页 |
| ·抛光片 | 第23页 |
| ·小结 | 第23-25页 |
| 第三章 单因素在铜CMP中对去除速率及平坦化的影响 | 第25-37页 |
| ·实验部分 | 第25-26页 |
| ·结果与讨论 | 第26-36页 |
| ·抛光液各组分对Cu去除速率的影响 | 第26-30页 |
| ·H_2O_2浓度对Cu去除速率的影响 | 第26-27页 |
| ·FA/O Ⅴ螯合剂浓度对Cu去除速率的影响 | 第27-28页 |
| ·SiO_2磨料浓度对Cu去除速率的影响 | 第28-29页 |
| ·非离子表面活性剂对Cu去除速率的影响 | 第29-30页 |
| ·抛光液各组分对平坦化性能的影响 | 第30-33页 |
| ·H_2O_2氧化剂浓度对平坦化性能的影响 | 第30-31页 |
| ·FA/O Ⅴ螯合剂浓度对平坦化性能的影响 | 第31-32页 |
| ·SiO_2磨料浓度对平坦化性能的影响 | 第32-33页 |
| ·抛光工艺对Cu去除速率及平坦化的影响 | 第33-36页 |
| ·压力的影响 | 第33-34页 |
| ·流量的影响 | 第34-35页 |
| ·转速的影响 | 第35-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 第四章 低压低磨料浓度铜抛光液性能的研究 | 第37-45页 |
| ·实验部分 | 第37-39页 |
| ·结果与讨论 | 第39-44页 |
| ·低压低磨料浓度铜粗抛液去除速率与一致性的研究 | 第39-41页 |
| ·低压低磨料浓度铜粗抛液平坦化性能的研究 | 第41-43页 |
| ·低压低磨料浓度铜粗抛液稳定性的研究 | 第43-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 第五章 基于新型螯合剂的碱性抛光液平坦化性能的研究 | 第45-51页 |
| ·实验部分 | 第45-46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-49页 |
| ·新型碱性抛光液平坦化性能的研究 | 第46-48页 |
| ·新型碱性抛光液抛光后表面状态的研究 | 第48-49页 |
| ·小结 | 第49-51页 |
| 第六章 结论 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 攻读硕士学位期间所取得的科研成果 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59页 |