铜互联工艺中的DFM方法研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-10页 |
| ·研究目的与意义 | 第8页 |
| ·内容简介 | 第8-10页 |
| 第二章 半导体铜互联工艺概述 | 第10-39页 |
| ·铜布线工艺概述 | 第12-14页 |
| ·铜布线中的关键工艺 | 第14-35页 |
| ·先进互联技术集成所面对的挑战 | 第35-37页 |
| 参考文献 | 第37-39页 |
| 第三章 DFM技术综述 | 第39-53页 |
| ·前言 | 第39-40页 |
| ·DFM工具和解决方案 | 第40-46页 |
| ·以RET/OPC为核心的光刻DFM | 第46-49页 |
| ·以铜互联工艺模型为核心的DFM技术 | 第49-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 第四章 光刻OPC建模和检验 | 第53-66页 |
| ·前言 | 第53-54页 |
| ·OPC测试结构 | 第54-55页 |
| ·双重曝光实验设备和条件 | 第55-56页 |
| ·OPC光学模拟 | 第56-59页 |
| ·光刻实验流片 | 第59-60页 |
| ·光刻工艺参数提取 | 第60-64页 |
| ·OPC建模 | 第64-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 第五章 钨CMP工艺建模及检验 | 第66-73页 |
| ·前言 | 第66页 |
| ·前言 | 第66-67页 |
| ·W CMP工艺测试结构 | 第67-69页 |
| ·W CMP工艺流片 | 第69页 |
| ·W CMP工艺参数测试提取 | 第69-70页 |
| ·W CMP工艺模型结果和分析 | 第70-73页 |
| 第六章 铜CMP侵蚀模型研究 | 第73-84页 |
| ·前言 | 第73-74页 |
| ·工艺测试结构 | 第74-75页 |
| ·工艺流片 | 第75-76页 |
| ·工艺参数测试提取 | 第76页 |
| ·工艺模型结果和分析 | 第76-81页 |
| ·前道工艺(电化学镀)的影响 | 第81-83页 |
| ·小结 | 第83-84页 |
| 第七章 总结 | 第84-85页 |
| ·总结 | 第84页 |
| ·下一步研究工作 | 第84-85页 |
| 发表文章 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86页 |
