| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 引言 | 第5-16页 |
| ·光刻工艺简介 | 第5-7页 |
| ·影像失真(image distortion) | 第7-9页 |
| ·OPC修正方法 | 第9-11页 |
| ·最大限度地控制线宽 | 第10页 |
| ·减小线端缩短 | 第10-11页 |
| ·OPC修正的执行方案 | 第11-13页 |
| ·基于规则的修正 | 第11-12页 |
| ·基于模型的修正 | 第12-13页 |
| ·OPC的发展演变 | 第13-16页 |
| 第二章 辅助图形在工艺窗口OPC模型中的应用 | 第16-34页 |
| ·基于制程窗口的两次曝光技术 | 第16-21页 |
| ·光刻工艺中的瓶颈 | 第16-18页 |
| ·添加辅助图形进行双重曝光 | 第18-21页 |
| ·PWMOPC的建立 | 第21-33页 |
| ·深亚微米光刻模型建立的理论基础 | 第21-25页 |
| ·PWMOPC模型的由来 | 第25-28页 |
| ·PWMOPC模型中关键参数的定义 | 第28-30页 |
| ·PWMOPC模型的操作方法 | 第30-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 广义OPC的概念 | 第34-42页 |
| ·厚光刻胶所带来的套准精度的挑战 | 第34-41页 |
| ·厚光刻胶套准问题的根源 | 第35-37页 |
| ·OPC的概念在提高套准精度上的应用和广义OPC概念的提出 | 第37-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 论文总结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |