| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第8-10页 |
| 1.2 CMP技术及其应用 | 第10-11页 |
| 1.2.1 CMP技术的产生及优点 | 第10页 |
| 1.2.2 CMP的过程及机理 | 第10-11页 |
| 1.3 阻挡层材料的发展 | 第11-14页 |
| 1.3.1 新型阻挡层材料RuCMP研究的必要性 | 第11-12页 |
| 1.3.2 阻挡层材料RuCMP的研究现状 | 第12-14页 |
| 1.4 碱性阻挡层抛光液的研究 | 第14-17页 |
| 1.4.1 抛光液的组分及其作用 | 第14-15页 |
| 1.4.2 碱性阻挡层抛光液 | 第15-17页 |
| 1.5 研究内容及预期成果 | 第17-18页 |
| 第二章 CMP实验方法及原理 | 第18-27页 |
| 2.1 实验材料、设备与方法 | 第18-20页 |
| 2.1.1 抛光机 | 第18-19页 |
| 2.1.2 精密电子天平 | 第19-20页 |
| 2.2 检测方法与原理 | 第20-22页 |
| 2.2.1 表面质量检测 | 第20-21页 |
| 2.2.2 抛光液性能检测 | 第21-22页 |
| 2.2.3 磨料检测 | 第22页 |
| 2.3 电化学实验与原理 | 第22-24页 |
| 2.4 CMP工艺参数的分析研究 | 第24-27页 |
| 第三章 磨料对Cu和RuCMP的影响 | 第27-33页 |
| 3.1 磨料浓度对Cu和Ru抛光速率以及速率选择比的影响 | 第27-28页 |
| 3.2 磨料浓度对Ru电化学性能的影响 | 第28-29页 |
| 3.3 磨料和抛光液的稳定性研究 | 第29-30页 |
| 3.4 Ru化学机械抛光机理的研究 | 第30-32页 |
| 3.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 氧化剂和螯合剂对Cu和RuCMP的影响 | 第33-41页 |
| 4.1 氧化剂对Cu和RuCMP抛光速率的影响 | 第33-35页 |
| 4.2 FA/OI螯合剂对Ru的抛光速率及对Cu、Ru的速率选择比的影响 | 第35-37页 |
| 4.3 Cu和Ru的电化学性能研究 | 第37-38页 |
| 4.4 本章小结 | 第38-41页 |
| 第五章 活性剂对RuCMP的影响 | 第41-49页 |
| 5.1 I型活性剂的润湿作用 | 第42-43页 |
| 5.2 I型活性剂对Cu、Ru抛光速率的影响 | 第43-44页 |
| 5.3 I型活性剂对Cu、RuCMP后表面粗糙度的影响 | 第44-46页 |
| 5.4 I型活性剂对抛光液体系稳定性的影响 | 第46页 |
| 5.5 本章小结 | 第46-49页 |
| 第六章 总结与展望 | 第49-51页 |
| 6.1 总结 | 第49-50页 |
| 6.2 展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
