| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第7-9页 |
| 1.1 高压集成电路与高压MOSFET发展现状 | 第7-8页 |
| 1.2 课题的意义和论文结构 | 第8-9页 |
| 第二章 高压MOSFET的基本结构与原理 | 第9-16页 |
| 2.1 MOSFET的基本结构与工作原理 | 第9-11页 |
| 2.2 高压MOSFET的结构介绍 | 第11-16页 |
| 2.2.1 三维纵向结构的高压MOSFET | 第11-14页 |
| 2.2.2 二维横向结构的高压MOSFET | 第14-16页 |
| 第三章 14V高压工艺流程整合与相关生产制程的介绍 | 第16-36页 |
| 3.1 14V高压工艺流程整合 | 第16-23页 |
| 3.1.1 硅片准备和隔离制程 | 第16-17页 |
| 3.1.2 阱区形成和栅氧化制作 | 第17-19页 |
| 3.1.3 晶体管和无源元件形成 | 第19-21页 |
| 3.1.4 互连和钝化工艺制程 | 第21-23页 |
| 3.2 相关生产制程的介绍 | 第23-36页 |
| 3.2.1 氧化制程 | 第23-25页 |
| 3.2.2 化学气相淀积 | 第25-26页 |
| 3.2.3 离子注入 | 第26-28页 |
| 3.2.4 光刻技术 | 第28-30页 |
| 3.2.5 刻蚀 | 第30-33页 |
| 3.2.6 化学机械抛光 | 第33-34页 |
| 3.2.7 金属化制程 | 第34-36页 |
| 第四章 高压工艺平台的良率优化 | 第36-49页 |
| 4.1 低压PMOS驱动电流的稳定性优化 | 第36-38页 |
| 4.2 自对准多晶硅化物区域刻蚀工艺优化 | 第38-44页 |
| 4.3 接触孔漏电功能失效工艺优化 | 第44-49页 |
| 第五章 高压工艺平台的缺陷现象改善 | 第49-65页 |
| 5.1 背面圈状硅突起现象改善 | 第49-54页 |
| 5.2 互联金属铝周边外露现象改善 | 第54-58页 |
| 5.3 标示气泡现象改善 | 第58-65页 |
| 第六章 结论 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |