| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 有机薄膜晶体管综述 | 第9-13页 |
| 1.1.1 有机薄膜晶体管的器件结构 | 第9-10页 |
| 1.1.2 有机薄膜晶体管的工作原理 | 第10-12页 |
| 1.1.3 有机薄膜晶体管的性能参数 | 第12-13页 |
| 1.2 有机薄膜晶体管材料 | 第13-15页 |
| 1.2.1 有机薄膜晶体管的电极材料和衬底材料 | 第13页 |
| 1.2.2 有机薄膜晶体管的绝缘层材料 | 第13-14页 |
| 1.2.3 有机薄膜晶体管的有源层材料 | 第14-15页 |
| 1.3 有机薄膜晶体管研究现状和发展趋势 | 第15-17页 |
| 1.4 本论文研究的主要内容 | 第17-18页 |
| 第二章 实验材料、设备和制备工艺 | 第18-28页 |
| 2.1 实验材料 | 第18-19页 |
| 2.2 实验设备及其表征方法 | 第19-23页 |
| 2.2.1 原子力显微镜 | 第19-20页 |
| 2.2.2 台阶测试仪 | 第20-21页 |
| 2.2.3 奥林巴斯光学显微镜 | 第21页 |
| 2.2.4 四探针测试仪 | 第21-22页 |
| 2.2.5 半导体参数测试仪 | 第22-23页 |
| 2.3 实验制备工艺 | 第23-26页 |
| 2.3.1 溶液旋涂工艺 | 第23页 |
| 2.3.2 光刻工艺 | 第23-24页 |
| 2.3.3 真空蒸镀工艺 | 第24-26页 |
| 2.4 器件掩膜版的设计 | 第26-28页 |
| 第三章 ITO栅电极的制备 | 第28-34页 |
| 3.1 ITO玻璃基片上图形化光刻胶掩膜 | 第28页 |
| 3.2 湿法腐蚀ITO栅电极实验结果分析 | 第28-30页 |
| 3.3 苯磷酸修饰湿法腐蚀后的ITO栅电极结果分析 | 第30-32页 |
| 3.4 本章结论 | 第32-34页 |
| 第四章 栅绝缘层的制备及其OTFT器件性能研究 | 第34-48页 |
| 4.1 以PMMA为有机绝缘层的并五苯OTFT器件性能研究 | 第34-39页 |
| 4.1.1 样品制备 | 第34-35页 |
| 4.1.2 PMMA薄膜厚度及表面形貌的研究 | 第35-36页 |
| 4.1.3 不同退火条件对PMMA薄膜形貌和表面粗糙度的影响 | 第36-37页 |
| 4.1.4 OTFT电学特性分析 | 第37-39页 |
| 4.1.5 本节小结 | 第39页 |
| 4.2 以Ta_2O_5为无机绝缘层的并五苯OTFT器件性能研究 | 第39-42页 |
| 4.2.1 样品制备 | 第39-40页 |
| 4.2.2 不同厚度的Ta_2O_5栅绝缘层的OTFT电学特性 | 第40-41页 |
| 4.2.3 本节小结 | 第41-42页 |
| 4.3 以Ta_2O_5-PMMA为复合绝缘层的并五苯OTFT器件性能研究 | 第42-47页 |
| 4.3.1 样品制备 | 第42-43页 |
| 4.3.2 不同PMMA薄膜厚度对复合栅绝缘层OTFT器件性能影响 | 第43-45页 |
| 4.3.3 复合栅绝缘层OTFT与以PMMA为单层绝缘层OTFT的比较 | 第45页 |
| 4.3.4 复合栅绝缘层OTFT与以Ta_2O_5为单层绝缘层OTFT的比较 | 第45-46页 |
| 4.3.5 本节小结 | 第46-47页 |
| 4.4 本章结论 | 第47-48页 |
| 第五章 结论与发展 | 第48-50页 |
| 5.1 结论 | 第48-49页 |
| 5.2 展望 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
