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半导体器件和集成电路的电—热—力特性的多物理场仿真研究

致谢第1-6页
摘要第6-8页
Abstract第8-10页
目录第10-12页
1. 绪论第12-20页
   ·研究背景第12-14页
   ·研究历史和现状第14-17页
     ·热应力的可靠性第14页
     ·静电放电(ESD)的影响第14-16页
     ·多物理场的耦合第16-17页
   ·本论文的主要创新点第17页
   ·本论文的结构安排第17-20页
2. 时域有限元方法第20-32页
   ·有限元法求解的一般步骤第20-21页
   ·电热力多物理场分析原理及验证第21-31页
     ·多物理场基本方程第21-23页
     ·时域有限元方法的应用第23-29页
     ·非线性场间耦合第29-30页
     ·算法验证第30-31页
   ·本章小结第31-32页
3. TSV的热力分析第32-43页
   ·TSV模型第33-39页
   ·TSV的热应力分析第39-42页
   ·本章小结第42-43页
4. GaAs HBT功率放大器的多物理场分析第43-62页
   ·GaAs HBT功率放大器的稳态多物理场研究第43-52页
   ·薄膜电阻的瞬态多物理场研究第52-60页
   ·本章小结第60-62页
5. 全碳集成的热管理仿真研究第62-72页
   ·全碳热管理用于3D IC散热第62-66页
   ·全碳热管理用于器件散热第66-71页
   ·本章小结第71-72页
6. 结论与展望第72-74页
   ·论文总结第72-73页
   ·对后继工作的展望第73-74页
参考文献第74-77页
作者简历第77页

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