利用纳米结构模板生长高质量硅锗材料
| 致谢 | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| ABSTRACT | 第9-11页 |
| 目录 | 第11-13页 |
| 1 绪论 | 第13-25页 |
| ·研究背景 | 第13-15页 |
| ·锗的基本物理和化学性质 | 第15-18页 |
| ·硅基锗材料的应用 | 第18-20页 |
| ·锗量子点的应用 | 第18-19页 |
| ·锗膜的应用 | 第19-20页 |
| ·国内外硅基锗材料生长的研究进展 | 第20-23页 |
| ·有序锗量子点的研究进展 | 第21-22页 |
| ·锗膜生长的研究进展 | 第22-23页 |
| ·本论文研究内容 | 第23-25页 |
| 2 外延生长理论与实验系统 | 第25-41页 |
| ·硅锗外延系统 | 第25-27页 |
| ·外延生长的三种模式 | 第25-26页 |
| ·应变与应力 | 第26-27页 |
| ·临界厚度 | 第27页 |
| ·分子束外延系统 | 第27-32页 |
| ·设备介绍 | 第28-30页 |
| ·实验流程 | 第30-32页 |
| ·实时监控方法 | 第32-34页 |
| ·反射式高能电子衍射系统 | 第32-33页 |
| ·石英晶振膜厚仪 | 第33-34页 |
| ·测试分析方法 | 第34-39页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第35-36页 |
| ·原子力显微镜 | 第36-38页 |
| ·拉曼光谱 | 第38-39页 |
| ·腐蚀坑测试 | 第39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 3 利用模板生长有序锗量子点的研究 | 第41-66页 |
| ·多孔阳极氧化铝薄膜 | 第42-45页 |
| ·多孔阳极氧化铝的介绍 | 第42-43页 |
| ·多孔阳极氧化铝薄膜的获得 | 第43-45页 |
| ·利用阳极多孔氧化铝模板直接生长有序锗量子点 | 第45-62页 |
| ·PAM对锗量子点尺寸的限制作用 | 第46-48页 |
| ·温度对利用多孔阳极氧化铝薄膜生长锗量子点的影响 | 第48-56页 |
| ·PAM对锗量子点形状的影响 | 第56-61页 |
| ·拉曼光谱测试分析 | 第61-62页 |
| ·利用阳极多孔氧化铝模板刻蚀衬底生长有序锗量子点 | 第62-65页 |
| ·衬底的处理 | 第62-63页 |
| ·在图形化衬底上生长锗量子点 | 第63-64页 |
| ·温度对锗量子点成核位置的影响 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 4 选择性生长锗膜的研究 | 第66-77页 |
| ·选择性区域生长的基本原理 | 第66-68页 |
| ·利用二氧化硅纳米球模板进行选择性生长锗膜 | 第68-76页 |
| ·二氧化硅模板的制备 | 第68-71页 |
| ·选择性生长锗膜 | 第71-72页 |
| ·讨论与分析 | 第72-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 5 总结与展望 | 第77-79页 |
| ·论文内容总结 | 第77-78页 |
| ·未来工作展望 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-84页 |
| 作者简历及在学期间所取得的科研成果 | 第84-85页 |
