| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第13-25页 |
| 1.1 微尺度CU-TSV的研究现状 | 第13-18页 |
| 1.1.1 硅通孔（TSV）技术简介 | 第13-14页 |
| 1.1.2 国内外Cu-TSV研究现状 | 第14-18页 |
| 1.2 微尺度材料的力学性能测试方法 | 第18-21页 |
| 1.2.1 传统微拉伸法 | 第18-20页 |
| 1.2.2 集成式微拉伸方法 | 第20-21页 |
| 1.3 本课题的研究意义与研究内容 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-25页 |
| 第二章 CU-TSV微拉伸试样及组件的结构设计与仿真优化 | 第25-34页 |
| 2.1 CU-TSV薄膜微拉伸试样及组件的整体设计 | 第25-30页 |
| 2.1.1 微拉伸测试原理与方法 | 第25-27页 |
| 2.1.2 Cu-TSV薄膜单轴微拉伸试样的结构设计 | 第27-29页 |
| 2.1.3 Cu-TSV薄膜单轴微拉伸试样装夹夹具的结构设计 | 第29页 |
| 2.1.4 Cu-TSV薄膜DMA试样的结构设计 | 第29-30页 |
| 2.2 CU-TSV薄膜单轴微拉伸试样设计的仿真验证与优化 | 第30-33页 |
| 2.2.1 试样支撑框架层的仿真分析 | 第30-32页 |
| 2.2.2 Cu-TSV薄膜圆弧尺寸的仿真分析 | 第32-33页 |
| 2.3 本章小结 | 第33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第三章 CU-TSV微拉伸试样的制备 | 第34-44页 |
| 3.1 微加工基本工艺 | 第34-39页 |
| 3.1.1 基片清洗 | 第34-35页 |
| 3.1.2 溅射镀膜 | 第35页 |
| 3.1.3 光刻工艺 | 第35-38页 |
| 3.1.4 电镀工艺 | 第38-39页 |
| 3.1.5 牺牲层工艺 | 第39页 |
| 3.2 基于牺牲层工艺的CU-TSV薄膜微拉伸试样的制备 | 第39-42页 |
| 3.2.1 Cu-TSV薄膜单轴微拉伸试样的制备 | 第39-41页 |
| 3.2.2 Cu-TSV薄膜DMA试样的制备 | 第41-42页 |
| 3.3 本章小结 | 第42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |
| 第四章 微拉伸测试与分析系统简介 | 第44-54页 |
| 4.1 单轴微拉伸测试平台 | 第44-50页 |
| 4.1.1 数据采集与分析系统构架 | 第45页 |
| 4.1.2 数据采集与分析系统的硬件构成 | 第45-49页 |
| 4.1.3 数据采集与分析系统的软件设计 | 第49-50页 |
| 4.2 DMA测试系统 | 第50-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53页 |
| 参考文献 | 第53-54页 |
| 第五章 不同添加剂配比CU-TSV薄膜的微拉伸测试与表征 | 第54-76页 |
| 5.1 不同添加剂配比电镀液的配置 | 第54-55页 |
| 5.2 标准添加剂配比CU-TSV薄膜微拉伸试样的测试分析 | 第55-58页 |
| 5.2.1 单轴微拉伸平台力学性能测试 | 第55-57页 |
| 5.2.2 DMA测试系统力学性能测试 | 第57-58页 |
| 5.2.3 单轴微拉伸测试平台与DMA测试系统对比 | 第58页 |
| 5.3 添加剂配比改变CU-TSV薄膜微拉伸试样的测试分析 | 第58-64页 |
| 5.3.1 加速剂对Cu-TSV薄膜力学性能的影响 | 第59-60页 |
| 5.3.2 抑制剂对Cu-TSV薄膜力学性能的影响 | 第60-62页 |
| 5.3.3 整平剂对Cu-TSV薄膜力学性能的影响 | 第62-64页 |
| 5.4 不同添加剂配比CU-TSV薄膜试样的表征 | 第64-74页 |
| 5.4.1 加速剂对Cu-TSV薄膜微观组织结构的影响 | 第64-68页 |
| 5.4.2 抑制剂对Cu-TSV薄膜微观组织结构的影响 | 第68-71页 |
| 5.4.3 整平剂对Cu-TSV薄膜微观组织结构的影响 | 第71-74页 |
| 5.5 本章小结 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-76页 |
| 第六章 总结与展望 | 第76-79页 |
| 6.1 主要结论 | 第76-77页 |
| 6.2 创新点 | 第77页 |
| 6.3 研究展望 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第80-81页 |
| 攻读硕士学位期间申请及授权的专利 | 第81页 |
