硅通孔三维封装的热力学分析
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| ·微电子技术的发展 | 第11页 |
| ·三维封装技术 | 第11-13页 |
| ·TSV 叠层封装技术 | 第13-16页 |
| ·TSV 封装优势与局限性 | 第13-14页 |
| ·TSV 的工艺流程 | 第14-16页 |
| ·热应力对三维封装的影响 | 第16-17页 |
| ·本课题的研究目的与研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 热应力的有限元分析方法 | 第19-23页 |
| ·有限元分析方法简介 | 第19页 |
| ·ANSYS 分析流程 | 第19-20页 |
| ·封装热应力的有限元分析模型 | 第20-23页 |
| 第三章 单个硅通孔的热应力研究 | 第23-51页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·圆柱型硅通孔的热应力 | 第23-33页 |
| ·研究模型及施加载荷条件 | 第23-25页 |
| ·铜、钨填充热应力位置的比较 | 第25-29页 |
| ·不同尺寸对热应力的影响 | 第29-33页 |
| ·圆台型硅通孔的热应力分析 | 第33-44页 |
| ·研究模型 | 第33-34页 |
| ·圆台型硅通孔与圆柱型硅通孔的应力比较 | 第34-35页 |
| ·通孔深度与热应力间的关系 | 第35-38页 |
| ·通孔直径与热应力间的关系 | 第38-44页 |
| ·博世刻蚀模型的热应力分析 | 第44-49页 |
| ·博世刻蚀模型 | 第44-45页 |
| ·博世刻蚀模型与圆柱型硅通孔的应力分布比较 | 第45-47页 |
| ·无扩散阻挡层时两模型的应力大小比较 | 第47-48页 |
| ·不同扩散阻挡层对硅通孔热应力的影响 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 三维叠层芯片的热应力研究 | 第51-74页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·二维俯视图研究热应力的可行性 | 第51-59页 |
| ·二维俯视图模型及其理论应力 | 第51-55页 |
| ·三维纵剖面的理论模型与应力 | 第55-58页 |
| ·通孔排列模式对应力分布的影响 | 第58-59页 |
| ·多层芯片互连的二维剖面研究 | 第59-65页 |
| ·研究模型 | 第59页 |
| ·不同材料组合的等效热应力 | 第59-62页 |
| ·键合层对热应力的影响 | 第62-64页 |
| ·通孔间距对热应力的影响 | 第64-65页 |
| ·三维叠层芯片的热应变 | 第65-73页 |
| ·三维封装模型与芯片扭曲 | 第65-69页 |
| ·芯片大小与变形的关系 | 第69-70页 |
| ·通孔间距与直径对变形的影响 | 第70-72页 |
| ·堆叠层数对芯片变形的影响 | 第72-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 第五章 全文总结与研究展望 | 第74-77页 |
| ·全文总结 | 第74-75页 |
| ·研究展望 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第85-86页 |
| 附件 | 第86-88页 |
