| 目录 | 第1-5页 |
| 中文摘要 | 第5-7页 |
| 英文摘要 | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-43页 |
| 1．1 微电子封装的发展概况和现状 | 第14-16页 |
| 1．2 MCM的定义及其特点 | 第16-18页 |
| 1．3 MCM的种类 | 第18-29页 |
| 1．3．1 厚膜多层基板 | 第18-23页 |
| 1．3．2 共烧多层基板 | 第23-25页 |
| 1．3．3 薄膜多层基板 | 第25-27页 |
| 1．3．4 共烧陶瓷—薄膜多层基板 | 第27-29页 |
| 1．4 多层基板的应用 | 第29-40页 |
| 1．4．1 厚膜多层基板的应用 | 第29-30页 |
| 1．4．2 低温共烧多层基板（LTCC）的应用 | 第30-34页 |
| 1．4．3 氧化铝共烧多层基板的应用 | 第34-36页 |
| 1．4．4 氮化铝共烧多层基板在3—D MCM中的应用 | 第36-38页 |
| 1．4．5 薄膜多层基板的应用 | 第38-40页 |
| 1．5 论文的选题及研究内容 | 第40-43页 |
| 1．5．1 论文的选题 | 第40-41页 |
| 1．5．2 研究内容 | 第41-43页 |
| 第二章 氮化铝基板的制备 | 第43-57页 |
| 2．1 引言 | 第43页 |
| 2．2 AlN粉的制备 | 第43-45页 |
| 2．3 AlN基板的制备方式 | 第45-55页 |
| 2．3．1 使用超细粉制备基板 | 第46页 |
| 2．3．2 热压（或热等静压）烧结法 | 第46页 |
| 2．3．3 常压烧结法 | 第46-55页 |
| 2．4 本章小结 | 第55-57页 |
| 第三章 氮化铝共烧基板的研究 | 第57-80页 |
| 3．1 氮化铝基板共烧技术的应力分析 | 第57-64页 |
| 3．1．1 材料共烧的应力变化 | 第58-59页 |
| 3．1．2 AlN共烧模型 | 第59-60页 |
| 3．1．3 AlN共烧基板表面导带AlN／W的界面应力分析 | 第60-64页 |
| 3．2 共烧浆料添加剂的选择 | 第64-66页 |
| 3．2．1 采用Y_2O_3、CaO或Al_2O_3作为添加剂 | 第64-65页 |
| 3．2．2 SiO_2与无机绝缘材料的混合物作为浆料添加剂 | 第65页 |
| 3．2．3 本论文选用的浆料添加剂 | 第65-66页 |
| 3．3 AlN共烧基板的制造工艺 | 第66-69页 |
| 3．3．1 工艺流程 | 第66页 |
| 3．3．2 AlN共烧基板的制备工艺介绍 | 第66-69页 |
| 3．4 W浆料与AlN共烧界面的微观结构及性能分析 | 第69-77页 |
| 3．4．1 界面分析所采用的仪器 | 第69-70页 |
| 3．4．2 AlN基板的反应 | 第70-71页 |
| 3．4．3 应力分析 | 第71-77页 |
| 3．5 共烧基板的可靠性测试 | 第77-78页 |
| 3．6 本章小结 | 第78-80页 |
| 第四章 氮化铝的薄膜金属化研究 | 第80-99页 |
| 4．1 前言 | 第80页 |
| 4．2 SIMS简介 | 第80-86页 |
| 4．2．1 离子与样品表面的相互作用 | 第81-82页 |
| 4．2．2 SIMS的原理 | 第82-83页 |
| 4．2．3 影响SIMS分析的因素 | 第83-84页 |
| 4．2．4 实验方法 | 第84-86页 |
| 4．3 结果与讨论 | 第86-92页 |
| 4．3．1 150℃热处理1小时 | 第86-87页 |
| 4．3．2 300℃热处理1小时 | 第87-88页 |
| 4．3．3 500℃热处理1小时 | 第88-89页 |
| 4．3．4 700℃热处理1小时 | 第89-91页 |
| 4．3．5 900℃热处理1小时 | 第91-92页 |
| 4．3．6 结论 | 第92页 |
| 4．4 薄膜缺陷的形成机理 | 第92-98页 |
| 4．4．1 薄膜中的应力 | 第92-94页 |
| 4．4．2 原子的扩散 | 第94-96页 |
| 4，4．3 扩散蠕变方程 | 第96-98页 |
| 4．5 本章小结 | 第98-99页 |
| 第五章 Cu与聚酰亚胺材料界面的特性研究 | 第99-115页 |
| 5．1 前言 | 第99-100页 |
| 5．2 PI与表面金属层界面反应的XPS分析 | 第100-106页 |
| 5．2．1 XPS分析的概念 | 第100-101页 |
| 5．2．2 PI膜的XPS分析 | 第101-102页 |
| 5．2．3 Cu／PI膜的XPS分析 | 第102-104页 |
| 5．2．4 NiCr／PI膜的XPS分析 | 第104-106页 |
| 5．3 PAA／Cu／Cr／AlN上的FTIR实验 | 第106-112页 |
| 5．3．1 FTIR的概念 | 第106-107页 |
| 5．3．2 PI膜的FTIR特征光谱 | 第107-108页 |
| 5．3．3 PI／Cu结构的FTIR分析 | 第108-112页 |
| 5．4 PAA—Cu反应对薄膜性能的影响 | 第112-113页 |
| 5．5 本章小结 | 第113-115页 |
| 第六章 氮化铝衬底上的薄膜多层布线 | 第115-146页 |
| 6．1 前言 | 第115-116页 |
| 6．2 薄膜多层互连结构和特性 | 第116-120页 |
| 6．3 影响MCN—D性能的主要参数 | 第120-128页 |
| 6．3．1 介质材料对MCM—D电学性能的影响 | 第120-123页 |
| 6．3．2 介质材料对MCM—D力学性能的影响 | 第123-126页 |
| 6．3．3 导带材料对MCM—D的性能的影响 | 第126-128页 |
| 6．4 薄膜多层布线中的介质材料 | 第128-132页 |
| 6．4．1 聚酰亚胺 | 第130页 |
| 6．4．2 苯丙环丁烯（BCB） | 第130-131页 |
| 6．4．3 聚酰亚胺的性质 | 第131-132页 |
| 6．5 薄膜多层布线中的导体材料 | 第132-135页 |
| 6．5．1 导带层和粘附层 | 第133-134页 |
| 6．5．2 阻挡层与界面金属层 | 第134页 |
| 6．5．3 表面金属层 | 第134-135页 |
| 6．6 聚酰亚胺薄膜多层布线的工艺技术 | 第135-142页 |
| 6．6．1 聚酰亚胺薄膜多层布线工艺流程 | 第135-136页 |
| 6．6．2 聚酰亚胺多层布线的关键技术 | 第136-140页 |
| 6．6．3 影响聚酰亚胺工艺的因素 | 第140-142页 |
| 6．7 影响薄膜高密度多层布线的因素 | 第142-145页 |
| 6．8 本章小结 | 第145-146页 |
| 第七章 结论与展望 | 第146-149页 |
| 7．1 结论 | 第146-148页 |
| 7．2 对后期工作的建议 | 第148-149页 |
| 参考文献 | 第149-160页 |
| 致谢 | 第160-162页 |
