锰铜薄膜超高压力传感器研究
| 中文摘要 | 第1-7页 |
| 英文摘要 | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-23页 |
| 1．1 引言 | 第13-14页 |
| 1．2 超高压力的产生及应用 | 第14-17页 |
| 1．3 超高压力传感器 | 第17-22页 |
| 1．3．1 压阻传感器 | 第17-21页 |
| 1．3．2 压电传感器 | 第21页 |
| 1．3．3 电容、电感、双金属结传感器 | 第21-22页 |
| 1．4 本章小节 | 第22-23页 |
| 第二章 敏感材料、封装材料的选择 | 第23-39页 |
| 2．1 PVDF传感器 | 第23-27页 |
| 2．1．1 极化 | 第23-25页 |
| 2．1．2 标定 | 第25-26页 |
| 2．1．3 存在的问题 | 第26-27页 |
| 2．2 锰铜压阻传感器 | 第27-35页 |
| 2．2．1 箔式锰铜传感器 | 第28-33页 |
| 2．2．1．1 树脂粘接工艺 | 第28-29页 |
| 2．2．1．2 改良树脂 | 第29-31页 |
| 2．2．1．3 低阻计 | 第31-32页 |
| 2．2．1．4 玻璃熔封 | 第32页 |
| 2．2．1．5 PTFE热压封装 | 第32-33页 |
| 2．2．1．6 碾压焊点工艺 | 第33页 |
| 2．2．2 薄膜式锰铜传感器 | 第33-35页 |
| 2．2．2．1 爆轰与冲击用薄膜式锰铜传感器 | 第33-34页 |
| 2．2．2．2 其他场合用薄膜式锰铜传感器 | 第34-35页 |
| 2．3 结论 | 第35-38页 |
| 2．3．1 敏感材料的选择 | 第36页 |
| 2．3．2 封装材料的选择 | 第36-38页 |
| 2．4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 薄膜式锰铜传感器的结构设计 | 第39-52页 |
| 3．1 冲击波在介质中的传播过程 | 第39-43页 |
| 3．1．1 冲击波的基本概念 | 第39-41页 |
| 3．1．2 冲击波与界面的作用 | 第41-43页 |
| 3．2 “在位”式锰铜传感器的结构设计 | 第43-47页 |
| 3．3 “后置”式锰铜传感器的结构设计 | 第47-49页 |
| 3．4 敏感栅结构设计 | 第49-51页 |
| 3．5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 实验过程 | 第52-68页 |
| 4．1 工艺流程 | 第52页 |
| 4．2 基板材料 | 第52-55页 |
| 4．3 电极 | 第55-56页 |
| 4．4 上绝缘层 | 第56-61页 |
| 4．4．1 电子束蒸发的工艺参数 | 第56-57页 |
| 4．4．2 膜厚测量 | 第57-59页 |
| 4．4．3 XRD衍射 | 第59页 |
| 4．4．4 形貌观察 | 第59-60页 |
| 4．4．5 电性能测试 | 第60-61页 |
| 4．4．6 热处理 | 第61页 |
| 4．5 封装 | 第61-64页 |
| 4．6 检测 | 第64-66页 |
| 4．7 轻气炮实验 | 第66-67页 |
| 4．8 本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 锰铜敏感薄膜的制备 | 第68-102页 |
| 5．1 TCR的测量 | 第68-70页 |
| 5．2 成膜工艺 | 第70-79页 |
| 5．2．1 真空系统 | 第70-71页 |
| 5．2．2 基板温度 | 第71-72页 |
| 5．2．3 预溅时间 | 第72-73页 |
| 5．2．4 靶温 | 第73-79页 |
| 5．3 热处理工艺 | 第79-83页 |
| 5．3．1 热处理温度 | 第79-81页 |
| 5．3．2 原位退火 | 第81-82页 |
| 5．3．3 老化 | 第82-83页 |
| 5．4 成份分析 | 第83-90页 |
| 5．4．1 成份控制 | 第83-88页 |
| 5．4．2 成份对TCR的影响 | 第88-90页 |
| 5．5 晶态分析 | 第90-98页 |
| 5．5．1 锰铜合金的相图 | 第90-92页 |
| 5．5．2 X射线衍射 | 第92-98页 |
| 5．6 AFM形貌观察 | 第98-99页 |
| 5．7 结论 | 第99-101页 |
| 5．8 本章小结 | 第101-102页 |
| 第六章 高压测试 | 第102-135页 |
| 6．1 压力计算 | 第102-105页 |
| 6．1．1 靶板中的压力（1点压力） | 第102-104页 |
| 6．1．2 封装体中的压力（2点压力） | 第104-105页 |
| 6．2 “在位”式薄膜锰铜计 | 第105-114页 |
| 6．2．1 实验参数 | 第105-106页 |
| 6．2．2 “正扣式”锰铜计 | 第106-110页 |
| 6．2．3 “反扣式”锰铜计 | 第110-114页 |
| 6．3 “后置”式薄膜锰铜计 | 第114-127页 |
| 6．3．1 初步实验 | 第115-118页 |
| 6．3．2 改进结构后的实验 | 第118-122页 |
| 6．3．3 实验结果 | 第122-127页 |
| 6．4 讨论 | 第127-134页 |
| 6．4．1 压力计算误差分析 | 第127-130页 |
| 6．4．2 压阻系数 | 第130-133页 |
| 6．4．2．1 Huiguiot参数的影响 | 第130-131页 |
| 6．4．2．2 晶体结构的影响 | 第131-133页 |
| 6．4．3 瞬态温度 | 第133-134页 |
| 6．5 本章小结 | 第134-135页 |
| 第七章 结论和建议 | 第135-138页 |
| 7．1 主要结论 | 第135-137页 |
| 7．2 有待深入研究的问题 | 第137-138页 |
| 参考文献 | 第138-151页 |
| 致谢 | 第151-152页 |
| 附录： 镱薄膜压力传感器的静压特性 | 第152-162页 |
| 攻读博士学位期间的论著 | 第162-164页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第164-169页 |
