铜互连工艺缺陷模式及其对集成电路良率的影响

摘要	第1-4页
Abstract	第4-5页
引言	第5-6页
第一章 铜互连工艺简介	第6-9页
·为什么要使用铜互连工艺	第6-7页
·铜互连工艺简介	第7-9页
第二章 缺陷与良率	第9-13页
·良率	第9-10页
·缺陷与良率	第10-13页
第三章 铜互连工艺的缺陷模式及其对良率的影响	第13-31页
·铜互连工艺的缺陷模式	第13-14页
·断开对良率的影响	第14-18页
·光学邻近效应矫正原理简介	第14-15页
·扫描测试	第15-16页
·光学邻近效应矫正欠补偿引起扫描测试失效	第16-18页
·空洞对良率的影响	第18-25页
·片上系统芯片和内建自测试	第19-20页
·Shmoo图和比特图	第20-21页
·静态存储器结构和几种典型失效模式	第21-22页
·空洞导致存储器内建自测试失效	第22-24页
·电解效应引起空洞缺陷模式	第24-25页
·短接对良率的影响	第25-31页
·高温测试	第26页
·全静态电流测试	第26-27页
·光致电阻变化法	第27-28页
·通孔短路导致全静态电流异常偏高	第28-29页
·底部抗反射涂层涂覆异常导致通孔变形	第29-31页
第四章 总结	第31-33页
参考文献	第33-34页
致谢	第34-35页