| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-13页 |
| 第一节 课题背景 | 第8-9页 |
| 第二节 产品可靠性 | 第9-10页 |
| 第三节 失效分析 | 第10-13页 |
| 第二章 可靠性试验和失效分析方法 | 第13-36页 |
| 第一节 可靠性试验 | 第13-15页 |
| 第二节 芯片失效机理 | 第15页 |
| 第三节 芯片失效原因分析 | 第15-18页 |
| 第四节 失效分析方法和设备 | 第18-24页 |
| 第五节 纳米探针原理介绍 | 第24-27页 |
| 第六节 试验设备和平台介绍 | 第27-30页 |
| 第七节 实验对象的选取 | 第30-32页 |
| 第八节 失效模式 | 第32-33页 |
| 第九节 失效分析手法 | 第33-36页 |
| 第三章 纳米探针技术在IC失效样品分析中的应用 | 第36-50页 |
| 第一节 48小时早期失效(EFR 48h)样品分析 | 第36-44页 |
| 第二节 高温操作168h(HTOL 168H)单比特失效分析 | 第44-50页 |
| 第四章 实验测量方法完善和精度提高 | 第50-55页 |
| 第一节 实验测量误差的产生 | 第50-51页 |
| 第二节 如何减小探针与样品的接触电阻 | 第51-55页 |
| 第五章 全文结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |