| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 集成电路中化学机械抛光(CMP)工艺的发展 | 第9-12页 |
| 1.1.1 集成电路的发展 | 第9页 |
| 1.1.2 铜布线及双大马士革工艺 | 第9-12页 |
| 1.2 化学机械抛光(CMP)工艺的发展 | 第12-16页 |
| 1.2.1 化学机械抛光(CMP)发展 | 第12-14页 |
| 1.2.2 化学机械抛光(CMP)机理分析 | 第14-16页 |
| 1.3 碱性抛光液稳定性机理 | 第16-19页 |
| 1.4 化学机械抛光(CMP)抛光液稳定性研究的意义 | 第19-20页 |
| 1.5 小结 | 第20-21页 |
| 第二章 化学机械抛光(CMP)实验专用设备和抛光液成分分析研究 | 第21-29页 |
| 2.1 实验设备 | 第21-24页 |
| 2.1.1 抛光机台和抛光垫 | 第21-22页 |
| 2.1.2 分析天平 | 第22-23页 |
| 2.1.3 纳米激光粒度测试仪 | 第23页 |
| 2.1.4 酸度计 | 第23-24页 |
| 2.2 碱性铜化学机械抛光(CMP)抛光液成分研究 | 第24-27页 |
| 2.2.1 抛光液中磨料的选择及分析研究 | 第24-25页 |
| 2.2.2 络合剂/螯合剂的性能分析研究 | 第25-26页 |
| 2.2.3 活性剂的选择及性能研究 | 第26-27页 |
| 2.2.4 氧化剂的选择及分析研究 | 第27页 |
| 2.3 小结 | 第27-29页 |
| 第三章 碱性铜抛光液各成分及配制工艺对抛光液稳定性的影响 | 第29-55页 |
| 3.1 磨料对碱性铜抛光液稳定性的影响 | 第29-32页 |
| 3.2 螯合剂对碱性铜抛光液稳定性的影响 | 第32-35页 |
| 3.3 活性剂对碱性铜抛光液稳定性的影响 | 第35-41页 |
| 3.3.1 活性剂浓度对抛光液抛光速率的影响 | 第35-37页 |
| 3.3.2 活性剂和磨料对抛光液稳定性协同作用 | 第37-39页 |
| 3.3.3 活性剂和氧化剂对抛光液速率稳定性的影响(配制工艺角度) | 第39-41页 |
| 3.4 氧化剂对碱性铜抛光液稳定性的影响 | 第41-44页 |
| 3.5 其他添加剂对碱性铜抛光液稳定性的影响 | 第44-52页 |
| 3.5.1 低磨料浓度低pH值条件下螯合剂与BTA对铜抛光速率和静态腐蚀速率的影响 | 第44-46页 |
| 3.5.2 低磨料浓度低pH值条件下H_2O_2对铜抛光速率和静态腐蚀速率的影响 | 第46-47页 |
| 3.5.3 低磨料浓度低pH值条件下磨料浓度对铜抛光速率和静态腐蚀速率的影响 | 第47-48页 |
| 3.5.4 低磨料浓度低pH值条件下甘氨酸对铜抛光速率和静态腐蚀速率的影响 | 第48-49页 |
| 3.5.5 其他添加剂对抛光液稳定性的影响 | 第49-52页 |
| 3.6 小结 | 第52-55页 |
| 第四章 无磨料化学机械抛光(AFP)初探 | 第55-61页 |
| 4.1 无磨料化学机械抛光(AFP)的研究 | 第55-56页 |
| 4.2 抛光液中各成分对无磨料化学机械抛光(AFP)抛光速率的影响 | 第56-59页 |
| 4.2.1 氧化剂对无磨料化学机械抛光(AFP)抛光速率的影响 | 第56-57页 |
| 4.2.2 螯合剂和抛光速率的关系 | 第57-58页 |
| 4.2.3 活性剂和抛光速率 | 第58-59页 |
| 4.3 无磨料化学机械抛光(AFP)对抛光液稳定性的意义 | 第59-61页 |
| 第五章 抛光液之杀菌灭藻研究 | 第61-67页 |
| 5.1 化学机械抛光抛光液杀菌灭藻的意义 | 第61页 |
| 5.2 杀菌灭藻实验和分析 | 第61-67页 |
| 第六章 全文总结 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 攻读学位期间取得的相关科研成果 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
