集成电路HPM损伤的计算机模拟
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-19页 |
| ·概述 | 第11-12页 |
| ·国内外HPM研究现状 | 第12-15页 |
| ·课题的研究背景和意义 | 第15-16页 |
| ·论文的研究目的及我所做的工作 | 第16-19页 |
| 第2章 HPM对半导体器件作用效应及主要失效机理 | 第19-31页 |
| ·HPM效应 | 第19-20页 |
| ·半导体器件烧毁的物理机理 | 第20-22页 |
| ·HPM能量的耦合途径 | 第22-23页 |
| ·电子、电气系统对HPM的防护原则 | 第23-26页 |
| ·HPM对半导体器件的损伤实验 | 第26-30页 |
| ·对CMOS、TTL芯片损伤实验 | 第27页 |
| ·脉冲宽度与损伤阈值的实验 | 第27-28页 |
| ·水平极化和垂直极化的测试 | 第28-29页 |
| ·缝孔效应测试 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 电磁场问题的求解依据和有限元法 | 第31-45页 |
| ·电磁场问题求解依据 | 第31-35页 |
| ·麦克斯韦方程组 | 第31-32页 |
| ·波动方程 | 第32-33页 |
| ·边界条件 | 第33-34页 |
| ·辐射条件 | 第34-35页 |
| ·有限元法 | 第35-44页 |
| ·有限元法简介 | 第35-36页 |
| ·有限元法的基本步骤 | 第36-42页 |
| ·有限元公式的另一种表示 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 CMOS集成电路模型的设计 | 第45-61页 |
| ·互连线的模型 | 第47-51页 |
| ·分布电阻 | 第48-49页 |
| ·分布电容 | 第49-50页 |
| ·分布电感 | 第50-51页 |
| ·MOS器件模型 | 第51-56页 |
| ·按比例缩小 | 第56-58页 |
| ·晶体管按比例缩小 | 第56-57页 |
| ·互连线按比例缩小 | 第57-58页 |
| ·CMOS集成电路模型 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第5章 HPM对CMOS集成电路损伤的模拟计算 | 第61-89页 |
| ·电磁脉冲产生感应电动势的计算 | 第61-62页 |
| ·金属引线的烧毁 | 第62-70页 |
| ·理论分析 | 第62-64页 |
| ·互连线烧毁的仿真模型 | 第64-67页 |
| ·仿真结果 | 第67-70页 |
| ·MOS器件击穿 | 第70-78页 |
| ·介质击穿模型 | 第70-73页 |
| ·栅氧层击穿的仿真模型 | 第73-76页 |
| ·仿真结果 | 第76-78页 |
| ·集成电路HPM损伤的结果分析和讨论 | 第78-87页 |
| ·工艺尺寸与损伤阈值的关系 | 第79-80页 |
| ·脉冲宽度和损伤阈值的关系 | 第80-82页 |
| ·垂直极化和水平极化 | 第82-83页 |
| ·CMOS集成电路的HPM保护电路的设计 | 第83-87页 |
| ·本章小结 | 第87-89页 |
| 结论 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-95页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第95-96页 |
| 致谢 | 第96-98页 |
| 详细摘要 | 第98-103页 |
