IC制造中铜电化学机械抛光电解液的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-15页 |
| ·选题背景及意义 | 第8-10页 |
| ·集成电路的发展 | 第8-9页 |
| ·集成电路制造中的大马士革工艺 | 第9-10页 |
| ·国内外研究现状 | 第10-14页 |
| ·化学机械抛光(CMP) | 第10-12页 |
| ·电化学机械抛光(ECMP) | 第12页 |
| ·ECMP技术研究现状 | 第12-14页 |
| ·研究内容 | 第14-15页 |
| ·课题来源 | 第14页 |
| ·研究内容和技术途径 | 第14-15页 |
| 2 ECMP试验设备及试件预处理 | 第15-25页 |
| ·试验所使用的仪器 | 第15-20页 |
| ·研磨及化学机械抛光所使用的仪器 | 第15-16页 |
| ·电化学抛光所使用的仪器 | 第16-17页 |
| ·测试方法与仪器 | 第17-20页 |
| ·铜试件研磨的工艺参数试验 | 第20-22页 |
| ·铜试件化学机械抛光(CMP)的工艺参数试验 | 第22-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 3 Cu-ECMP电解液中抑制剂的选择与优化 | 第25-43页 |
| ·电化学理论概述 | 第25-29页 |
| ·三电极系统 | 第25页 |
| ·极化曲线的应用及意义 | 第25-27页 |
| ·交流阻抗图的应用及意义 | 第27-29页 |
| ·平衡电势-pH图的应用及意义 | 第29页 |
| ·不同抑制剂条件下的极化曲线试验 | 第29-31页 |
| ·不同抑制剂条件下的静态腐蚀试验 | 第31-33页 |
| ·不同抑制剂条件下的交流阻抗图试验 | 第33-34页 |
| ·抑制剂BTA和PTA在不同电压条件下的对比试验 | 第34-42页 |
| ·抑制剂BTA在不同电压条件下的试验 | 第34-39页 |
| ·抑制剂PTA在不同电压下的试验 | 第39-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 4 不同pH值条件下的抛光试验 | 第43-62页 |
| ·抛光试验台的改进 | 第43-44页 |
| ·不同pH值条件下的极化曲线测试 | 第44-46页 |
| ·不同pH值条件下的交流阻抗图测试 | 第46-51页 |
| ·不同pH值下的抛光试验 | 第51-59页 |
| ·pH=2时的抛光试验 | 第51-52页 |
| ·pH=4时的抛光试验 | 第52-53页 |
| ·pH=6时的抛光试验 | 第53-54页 |
| ·pH=8时的抛光试验 | 第54-55页 |
| ·pH=10时的抛光试验 | 第55-57页 |
| ·同一电压条件下不同pH时的抛光试验对比 | 第57-59页 |
| ·使用不同pH调节剂调节的抛光试验 | 第59-61页 |
| ·使用乙酸调节到pH=6的抛光试验 | 第59-60页 |
| ·使用乙二胺调节到pH=8的抛光试验 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
