硅基恒流二极管的设计
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| ·课题的研究背景及意义 | 第8-11页 |
| ·国内外发展概况 | 第11-16页 |
| ·本文的研究思想与研究内容 | 第16-18页 |
| 2 数值方程与器件物理模型 | 第18-25页 |
| ·数值方程 | 第18-19页 |
| ·泊松方程 | 第18页 |
| ·载流子连续性方程 | 第18-19页 |
| ·输运方程 | 第19页 |
| ·器件物理模型 | 第19-24页 |
| ·波尔兹曼统计分布模型 | 第19-20页 |
| ·迁移率模型 | 第20-22页 |
| ·禁带宽度模型 | 第22-23页 |
| ·SRH复合模型和Auger复合模型 | 第23页 |
| ·碰撞电离模型 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 3 器件工作原理与结构设计 | 第25-37页 |
| ·器件工作原理 | 第25-27页 |
| ·恒流二极管的基本参数 | 第27-28页 |
| ·恒流二极管有源区结构设计 | 第28-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 4 特性参数的优化 | 第37-52页 |
| ·器件结构参数对电学特性的影响 | 第37-47页 |
| ·沟道掺杂浓度对特性的影响 | 第37-41页 |
| ·沟道宽度对特性的影响 | 第41-44页 |
| ·沟道长度对特性的影响 | 第44-45页 |
| ·栅漏间距对特性的影响 | 第45-47页 |
| ·场板技术对击穿特性的影响 | 第47-48页 |
| ·优化前后结构特性对比 | 第48-50页 |
| ·结构的温度特性 | 第50页 |
| ·器件的动态阻抗 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 5 工艺流程和版图设计 | 第52-56页 |
| ·工艺流程 | 第52-53页 |
| ·欧姆接触工艺 | 第53-54页 |
| ·离子注入工艺 | 第54页 |
| ·版图 | 第54-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
