| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| ·太阳能电池的发展 | 第9-13页 |
| ·氢化纳米硅薄膜简介 | 第13-14页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结的研究背景 | 第14页 |
| ·本文的工作及意义 | 第14-16页 |
| 2 薄膜制备系统——热丝化学气相沉积(HWCVD) | 第16-23页 |
| ·热丝化学气相沉积的发展及优缺点 | 第16-17页 |
| ·热丝化学气相沉积(HWCVD)原理 | 第17-20页 |
| ·热丝化学气相沉积(HWCVD)设备 | 第20-23页 |
| 3 本文表征方法 | 第23-30页 |
| ·透射光谱 | 第23-25页 |
| ·拉曼光谱 | 第25-27页 |
| ·电容-电压(C-V)谱 | 第27-28页 |
| ·变温电流-电压(J-V-T)谱 | 第28-30页 |
| 4 热丝CVD沉积本征纳米硅薄膜的研究 | 第30-42页 |
| ·实验 | 第30-31页 |
| ·结果与讨论 | 第31-40页 |
| ·衬底温度对薄膜的影响 | 第31-33页 |
| ·反应压强对薄膜的影响 | 第33-36页 |
| ·硅烷浓度对薄膜的影响 | 第36-38页 |
| ·生长时间(薄膜厚度)对薄膜的影响 | 第38-40页 |
| ·本章结论 | 第40-42页 |
| 5 纳米硅/单晶硅异质结电学特性 | 第42-54页 |
| ·实验 | 第42页 |
| ·结果与讨论 | 第42-52页 |
| ·薄膜的晶化率 | 第42-43页 |
| ·异质结C-V特性及能带结构 | 第43-46页 |
| ·异质结暗J-V-T特性及输运机制 | 第46-52页 |
| ·本章结论 | 第52-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |