| 摘要 | 第8-10页 |
| abstract | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第17-29页 |
| 1.1 三维封装技术 | 第17-21页 |
| 1.2 铜-铜低温直接键合 | 第21-27页 |
| 1.2.1 材料的选择 | 第21-23页 |
| 1.2.2 直接键合 | 第23页 |
| 1.2.3 低温过程 | 第23-27页 |
| 1.3 论文的结构 | 第27-29页 |
| 第二章 基于甲酸预处理的键合设备设计及工艺 | 第29-43页 |
| 2.1 甲酸对铜薄膜表面处理和原理及工艺条件 | 第29-30页 |
| 2.1.1 甲酸处理铜薄膜表面的原理 | 第29页 |
| 2.1.2 铜薄膜表面处理过程 | 第29-30页 |
| 2.2 低温直接键合的原理及工艺条件 | 第30-31页 |
| 2.2.1 低温直接键合原理 | 第30-31页 |
| 2.2.2 低温直接键合工艺条件 | 第31页 |
| 2.3 键合设备设计 | 第31-39页 |
| 2.3.1 键合设备要求 | 第31-32页 |
| 2.3.2 键合设备设计 | 第32-39页 |
| 2.4 键合实验流程 | 第39-42页 |
| 2.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 第三章 铜薄膜表面处理分析 | 第43-57页 |
| 3.1 样品表面分析方法和设备 | 第43-47页 |
| 3.1.1 X射线光电子能谱分析(XPS) | 第43-45页 |
| 3.1.2 原子力显微镜(AFM) | 第45-47页 |
| 3.2 甲酸气体处理铜薄膜的表面分析 | 第47-50页 |
| 3.2.1 XPS分析 | 第47-48页 |
| 3.2.2 AFM分析 | 第48-50页 |
| 3.3 甲酸溶液处理铜薄膜的表面分析 | 第50-55页 |
| 3.3.1 甲酸溶液浓度对铜薄膜表面的影响 | 第50-52页 |
| 3.3.2 甲酸溶液的处理时间对铜薄膜表面的还原的影响 | 第52-55页 |
| 3.4 甲酸气体与甲酸溶液对铜薄膜表面形貌的比较 | 第55-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 铜-铜低温直接键合结果及分析 | 第57-64页 |
| 4.1 键合界面分析方法和设备 | 第57-59页 |
| 4.1.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第57-58页 |
| 4.1.2 透射电子显微镜(TEM) | 第58-59页 |
| 4.2 键合界面分析 | 第59-61页 |
| 4.2.1 键合界面SEM分析 | 第59-60页 |
| 4.2.2 键合界面TEM分析 | 第60-61页 |
| 4.3 键合强度拉伸测试 | 第61-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 5.1 总结 | 第64页 |
| 5.2 展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第71-72页 |