TSV建模与耗散分析
摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-7页 |
第一章 绪论 | 第7-15页 |
·研究背景 | 第7-10页 |
·三维集成电路 | 第7-9页 |
·硅通孔(TSV)技术兴起 | 第9-10页 |
·TSV 技术研究现状 | 第10-12页 |
·TSV 技术国内外发展现状 | 第10-11页 |
·TSV 技术发展前景 | 第11-12页 |
·研究目标及主要工作 | 第12页 |
·文章结构 | 第12-15页 |
第二章 TSV 等效电路模型 | 第15-29页 |
·TSV 的物理结构 | 第15-16页 |
·TSV 通道的可扩展模型 | 第16-20页 |
·带有 bumps 的 TSV 模型 | 第17-19页 |
·再分布层(RDLs)互连模型 | 第19-20页 |
·TSV 电学参数提取 | 第20-27页 |
·带 bumps 的 TSV 电容参数提取 | 第20-22页 |
·带 bumps 的 TSV 电阻参数提取 | 第22-23页 |
·带 bumps 的 TSV 电感参数提取 | 第23-24页 |
·再分布层 RDLs 参数提取 | 第24-27页 |
·小结 | 第27-29页 |
第三章 TSV 耗散系数模型 | 第29-45页 |
·TSV 耗散系数模型 | 第29-34页 |
·耗散系数 | 第29-31页 |
·TSV 耗散系数模型 | 第31-34页 |
·HFSS 仿真软件介绍 | 第34-38页 |
·HFSS 软件简介 | 第34页 |
·HFSS 仿真流程 | 第34-36页 |
·用 HFSS 仿真 TSV 模型 | 第36-38页 |
·验证 TSV 等效电路模型 | 第38-44页 |
·验证 TSV 等效电路模型准确性 | 第38-41页 |
·验证 TSV 等效电路模型可扩展性 | 第41-44页 |
·小结 | 第44-45页 |
第四章 TSV 耗散系数优化分析 | 第45-59页 |
·TSV 模型参数对耗散系数影响 | 第45-51页 |
·TSV 直径对耗散系数的影响 | 第45-46页 |
·TSVs 之间距离对耗散系数的影响 | 第46-48页 |
·TSV 高度对耗散系数的影响 | 第48页 |
·绝缘层厚度对 TSV 耗散系数的影响 | 第48-49页 |
·硅的电导率对耗散系数的影响 | 第49-51页 |
·TSV 模型优化 | 第51-58页 |
·确定 TSV 模型优化设计变量 | 第51-52页 |
·建立 TSV 优化模型 | 第52-56页 |
·多根 TSV 优化排列 | 第56-58页 |
·小结 | 第58-59页 |
第五章 总结与展望 | 第59-61页 |
致谢 | 第61-63页 |
参考文献 | 第63-67页 |