| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 引言 | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-18页 |
| 第一节 刻蚀的定义 | 第6-7页 |
| 第二节 刻蚀的参数关系 | 第7-13页 |
| 第三节 等离子体刻蚀技术及分类 | 第13-18页 |
| 第二章 MIM刻蚀中的潜在威胁 | 第18-31页 |
| 第一节 铝互连线工艺特性 | 第18-25页 |
| 第二节 0.18微米MIM ETCH加工制造工艺 | 第25-29页 |
| 第三节 MIM刻蚀中的潜在威胁与局限 | 第29-31页 |
| 第三章 晶片边缘良率低下的原因分析及试验方案 | 第31-46页 |
| 第一节 良率问题描述 | 第31-32页 |
| 第二节 良率低下的原因分析 | 第32-40页 |
| 第三节 良率改善的实验分析 | 第40-45页 |
| 第四节 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 试验结果及用于生产的实际效果 | 第46-49页 |
| 第一节 良率改善实验的结果 | 第46-48页 |
| 第二节 改善实验扩展应用于生产的实际效果 | 第48页 |
| 第三节 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 结论与展望 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |