| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 引言 | 第5-6页 |
| 第一章 集成电路的短暂历程 | 第6-15页 |
| 第一节 集成电路的发展历程 | 第6页 |
| 第二节 促使集成电路产生的几项关键发明 | 第6-8页 |
| 第三节 我国集成电路的发展历史与面临的挑战 | 第8-9页 |
| 第四节 半导体存储器技术的发展 | 第9-14页 |
| 第五节 本轮的工作背景内容简介 | 第14-15页 |
| 第二章 半导体氧化工艺简介 | 第15-32页 |
| 第一节 氧化工艺原理概述 | 第15-17页 |
| 第二节 氧化工艺动力学 | 第17-23页 |
| 第三节 氧化工艺设备及加工过程 | 第23-26页 |
| 第四节 栅氧化层的特性 | 第26-30页 |
| 第五节 掺杂对栅氧化特性的影响 | 第30-32页 |
| 第三章 0.18EEPROM工艺流程结构 | 第32-37页 |
| 第一节 0.18EEPROM工艺流程 | 第32-34页 |
| 第二节 与传统LOGIC工艺流程的比较 | 第34-35页 |
| 第三节 TUN-OX程式的简单介绍 | 第35-37页 |
| 第四章 EEPROM工艺试验 | 第37-55页 |
| 第一节 现行EEPROM产品工艺遇到的问题 | 第37-39页 |
| 第二节 现行GOX品质在线监控方式简介 | 第39-47页 |
| 第三节 GOX品质在线监控原理 | 第47-50页 |
| 第四节 工艺差异的确定及试验方案的设计 | 第50-53页 |
| 第五节 试验结果及改进监控方式 | 第53-55页 |
| 第五章 结论与展望 | 第55-56页 |
| 第一节 结论DCE的流量变化极大地影响了VT的变化 | 第55页 |
| 第二节 展望 对于掺杂的氧化 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |