| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| ·低介电常数（低k）材料的研究背景 | 第10-12页 |
| ·本课题组的主要研究内容 | 第12-13页 |
| ·本文的研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 样品制备与实验方法 | 第15-23页 |
| ·多孔SiCOH 低κ 薄膜的制备方法 | 第15-18页 |
| ·微波电子回旋共振等离子体原理简介 | 第15-16页 |
| ·微波ECR-CVD 沉积系统 | 第16-17页 |
| ·实验参数 | 第17-18页 |
| ·SiCOH 薄膜的刻蚀方法 | 第18-20页 |
| ·双频电容耦合等离子体系统（DF-CCP） | 第18-19页 |
| ·SiCOH 薄膜表面刻蚀掩膜层的制备 | 第19页 |
| ·刻蚀实验参数 | 第19-20页 |
| ·刻蚀槽形的扫描电镜（SEM）观察 | 第20页 |
| ·刻蚀槽形的原子力（AFM）显微镜表征 | 第20-22页 |
| ·沟槽成份的x 射线光电子能谱（XPS）分析 | 第22-23页 |
| 第三章 SiCOH 低k 薄膜沟槽的C_2F_6/O_2/Ar 等离子体刻蚀及形貌分析 | 第23-30页 |
| ·C_2F_6/O_2/Ar 等离子体对光刻胶的影响 | 第23-25页 |
| ·氧流量对SiCOH 薄膜槽形刻蚀的影响 | 第25-27页 |
| ·刻蚀时间对SiCOH 薄膜槽形刻蚀的影响 | 第27页 |
| ·低频功率对SiCOH 薄膜槽形刻蚀的影响 | 第27-30页 |
| 第四章 C_2F_6/O_2/Ar 等离子体刻蚀SiCOH 薄膜沟槽的粗糙度及成分分析 | 第30-37页 |
| ·SiCOH 薄膜槽形刻蚀的AFM 分析 | 第30-32页 |
| ·SiCOH 薄膜刻蚀沟槽底面粗糙度随低频功率的变化关系 | 第32-33页 |
| ·SiCOH 薄膜刻蚀沟槽成分随低频功率的变化关系 | 第33-37页 |
| 第五章 结论 | 第37-39页 |
| ·本文研究的主要结果 | 第37-38页 |
| ·存在的主要问题和进一步的研究方向 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-43页 |
| 攻读学位期间公开发表的论文 | 第43-44页 |
| 致谢 | 第44-45页 |
