多晶硅薄膜晶体管阈值电压模型和寄生电阻提取方法

中文摘要	第1-5页
Abstract	第5-7页
第一章 绪论	第7-19页
·多晶硅薄膜晶体管概论	第7-9页
·本论文工作的研究动态	第9-13页
·多晶硅薄膜晶体管阈值电压模型的研究动态	第9-10页
·多晶硅薄膜晶体管寄生电阻提取方法的研究动态	第10-13页
·器件样品的制备及实验测试仪器	第13-16页
·多晶硅薄膜晶体管的制备	第13-15页
·实验测试仪器	第15-16页
·本论文的主要工作	第16页
参考文献	第16-19页
第二章 多晶硅薄膜晶体管开态电流模型	第19-28页
·多晶硅薄膜晶体管开态模型概论	第19-21页
·有效沟道迁移率模型	第21-23页
·基于有效沟道迁移率的开态模型	第23-25页
·本章小结	第25页
参考文献	第25-28页
第三章 多晶硅薄膜晶体管阈值电压模型	第28-40页
·阈值电压的实验提取方法	第28-31页
·阈值电压的模型	第31-35页
·阈值电压模型的推导	第31-34页
·阈值电压模型的验证	第34-35页
·阈值电压模型的讨论	第35-37页
·本章小结	第37-38页
参考文献	第38-40页
第四章 多晶硅薄膜晶体管寄生电阻提取方法	第40-57页
·寄生电阻的起因	第40-41页
·寄生电阻的提取方法及实验验证	第41-51页
·寄生电阻的提取方法	第41-43页
·提取方法的实验验证	第43-51页
·寄生电阻对器件建模的影响	第51-52页
·本文方法与其他方法的比较	第52-54页
·本章小结	第54页
参考文献	第54-57页
第五章 结论及未来工作	第57-59页
攻读硕士学位期间发表的论文	第59-60页
致谢	第60-61页