首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--微电子学、集成电路(IC)论文--一般性问题论文--制造工艺论文

终端射频芯片关键技术暨负群延时电路研究

摘要第5-7页
abstract第7-9页
第一章 绪论第12-23页
    1.1 研究背景及意义第12-15页
    1.2 国内外研究动态第15-21页
    1.3 文章的研究内容及章节安排第21-23页
第二章 具有线性化跨导电路的CMOS射频发射机研究第23-68页
    2.1 引言第23页
    2.2 CMOS加工工艺简介第23-29页
    2.3 射频发射机简介第29-34页
        2.3.1 射频发射机架构第29-31页
        2.3.2 射频发射机关键指标第31-34页
    2.4 具有真单相位时钟(TSPC)的DAC设计第34-44页
        2.4.1 DAC的组成架构第34-36页
        2.4.2 上升沿TSPC触发器第36-38页
        2.4.3 R-2R电阻分流网络第38页
        2.4.4 高带负载能力恒流源第38-39页
        2.4.5 跨阻放大器电路第39-41页
        2.4.6 DAC电路仿真第41-44页
    2.5 可调增益及带宽的BBF设计第44-53页
        2.5.1 DCF单元电路研究第45-49页
        2.5.2 DCG单元电路研究第49-52页
        2.5.3 DCF和DCG电路的整体仿真第52-53页
    2.6 具有线性化跨导的Gilbert混频器及驱动放大器研究第53-63页
        2.6.1 Gilbert有源混频器基础理论及工作原理第53-55页
        2.6.2 具有线性化跨导及电流控制电路的Gilbert混频器第55-60页
        2.6.3 驱动放大器第60-61页
        2.6.4 射频电路仿真第61-63页
    2.7 测试与总结第63-67页
    2.8 小结第67-68页
第三章 带有尾电容巴伦的超宽中频带宽GaAs混频器研究第68-88页
    3.1 引言第68页
    3.2 GaAs加工工艺简介第68-70页
    3.3 混频器相关基础理论第70-72页
        3.3.1 混频器的定义及分类第70页
        3.3.2 双平衡无源混频器工作原理第70-72页
    3.4 巴伦变换器的分析及等效电路第72-75页
    3.5 带有尾电容的巴伦结构第75-77页
    3.6 电路特性仿真第77-83页
    3.7 测试结果第83-87页
    3.8 小结第87-88页
第四章 NGD电路及其应用研究第88-119页
    4.1 引言第88页
    4.2 微波PCB加工工艺简介第88-89页
    4.3 NGD理论基础第89-94页
        4.3.1 群延时定义第89页
        4.3.2 一种基于横向滤波器的NGD架构第89-94页
    4.4 基于阶跃式高低阻抗变换线DA结构的NGD电路第94-102页
        4.4.1 工作原理及仿真第94-100页
        4.4.2 加工及测试第100-102页
    4.5 基于NGD电路的Non-Foster网络第102-117页
        4.5.1 Non-Foster网络及其与NGD网络的联系第102-105页
        4.5.2 基于NGD电路的等效Non-Foster串联负电容研究第105-110页
        4.5.3 基于NGD电路的Non-Foster匹配网络研究第110-117页
    4.6 小结第117-119页
第五章 总结与展望第119-122页
    5.1 本文的主要创新点第119-120页
    5.2 未来的展望第120-122页
致谢第122-123页
参考文献第123-132页
攻读博士学位期间取得的成果第132-134页

论文共134页,点击 下载论文
上一篇:SiC MOSFET开关损耗模型与新结构研究
下一篇:基于压电能量收集的集成电路的研究与设计