摘要 | 第5-7页 |
abstract | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第12-23页 |
1.1 研究背景及意义 | 第12-15页 |
1.2 国内外研究动态 | 第15-21页 |
1.3 文章的研究内容及章节安排 | 第21-23页 |
第二章 具有线性化跨导电路的CMOS射频发射机研究 | 第23-68页 |
2.1 引言 | 第23页 |
2.2 CMOS加工工艺简介 | 第23-29页 |
2.3 射频发射机简介 | 第29-34页 |
2.3.1 射频发射机架构 | 第29-31页 |
2.3.2 射频发射机关键指标 | 第31-34页 |
2.4 具有真单相位时钟(TSPC)的DAC设计 | 第34-44页 |
2.4.1 DAC的组成架构 | 第34-36页 |
2.4.2 上升沿TSPC触发器 | 第36-38页 |
2.4.3 R-2R电阻分流网络 | 第38页 |
2.4.4 高带负载能力恒流源 | 第38-39页 |
2.4.5 跨阻放大器电路 | 第39-41页 |
2.4.6 DAC电路仿真 | 第41-44页 |
2.5 可调增益及带宽的BBF设计 | 第44-53页 |
2.5.1 DCF单元电路研究 | 第45-49页 |
2.5.2 DCG单元电路研究 | 第49-52页 |
2.5.3 DCF和DCG电路的整体仿真 | 第52-53页 |
2.6 具有线性化跨导的Gilbert混频器及驱动放大器研究 | 第53-63页 |
2.6.1 Gilbert有源混频器基础理论及工作原理 | 第53-55页 |
2.6.2 具有线性化跨导及电流控制电路的Gilbert混频器 | 第55-60页 |
2.6.3 驱动放大器 | 第60-61页 |
2.6.4 射频电路仿真 | 第61-63页 |
2.7 测试与总结 | 第63-67页 |
2.8 小结 | 第67-68页 |
第三章 带有尾电容巴伦的超宽中频带宽GaAs混频器研究 | 第68-88页 |
3.1 引言 | 第68页 |
3.2 GaAs加工工艺简介 | 第68-70页 |
3.3 混频器相关基础理论 | 第70-72页 |
3.3.1 混频器的定义及分类 | 第70页 |
3.3.2 双平衡无源混频器工作原理 | 第70-72页 |
3.4 巴伦变换器的分析及等效电路 | 第72-75页 |
3.5 带有尾电容的巴伦结构 | 第75-77页 |
3.6 电路特性仿真 | 第77-83页 |
3.7 测试结果 | 第83-87页 |
3.8 小结 | 第87-88页 |
第四章 NGD电路及其应用研究 | 第88-119页 |
4.1 引言 | 第88页 |
4.2 微波PCB加工工艺简介 | 第88-89页 |
4.3 NGD理论基础 | 第89-94页 |
4.3.1 群延时定义 | 第89页 |
4.3.2 一种基于横向滤波器的NGD架构 | 第89-94页 |
4.4 基于阶跃式高低阻抗变换线DA结构的NGD电路 | 第94-102页 |
4.4.1 工作原理及仿真 | 第94-100页 |
4.4.2 加工及测试 | 第100-102页 |
4.5 基于NGD电路的Non-Foster网络 | 第102-117页 |
4.5.1 Non-Foster网络及其与NGD网络的联系 | 第102-105页 |
4.5.2 基于NGD电路的等效Non-Foster串联负电容研究 | 第105-110页 |
4.5.3 基于NGD电路的Non-Foster匹配网络研究 | 第110-117页 |
4.6 小结 | 第117-119页 |
第五章 总结与展望 | 第119-122页 |
5.1 本文的主要创新点 | 第119-120页 |
5.2 未来的展望 | 第120-122页 |
致谢 | 第122-123页 |
参考文献 | 第123-132页 |
攻读博士学位期间取得的成果 | 第132-134页 |