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面向扇出型圆片级封装的内嵌硅转接板技术基础研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第12-22页
    1.1 扇出型圆片级封装技术研究背景第12-19页
        1.1.1 先进封装技术概念第12-15页
        1.1.2 扇出型圆片级封装技术的国内外研究现状第15-19页
    1.2 选题内容及研究目标第19-20页
    1.3 论文内容安排第20-22页
第二章 内嵌TSI硅转接板设计开发与特性第22-42页
    2.1 内嵌TSI硅转接板工艺设计与开发第23-34页
        2.1.1 内嵌TSI硅转接板的工艺流程设计第23-26页
        2.1.2 内嵌TSI硅转接板的玻璃回流工艺开发第26-31页
        2.1.3 TSI硅转接板凹坑制作工艺第31-33页
        2.1.4 内嵌TSI硅转接板的样品制备第33-34页
    2.2 内嵌TSI硅转接板测试分析第34-40页
        2.2.1 电阻测试和击穿电压测试第35-37页
        2.2.2 热应力与气密性测试分析第37-40页
    2.3 本章小结第40-42页
第三章 空心铜TSV内嵌硅转接板设计开发与特性第42-70页
    3.1 空心铜TSV内嵌硅转接板工艺设计与开发第42-54页
        3.1.1 空心铜TSV的内嵌硅转接板的工艺设计流程第43-45页
        3.1.2 TMAH的超声湿法腐蚀工艺第45-48页
        3.1.3 空心铜TSV的保型电镀工艺开发第48-53页
        3.1.4 空心铜TSV内嵌硅转接版样品制备第53-54页
    3.2 基于空心铜TSV内嵌硅转接板的叠层封装设计与验证第54-68页
        3.2.1 面向射频应用的空心铜TSV内嵌硅转接板装配工艺设计第55-57页
        3.2.2 空心铜TSV内嵌硅转接板的装配应力仿真分析第57-61页
        3.2.3 空心铜TSV内嵌硅转接板热应力的影响参数与特性研究第61-66页
        3.2.4 空心铜TSV内嵌硅转接板的装配测试第66-68页
    3.3 本章小结第68-70页
第四章 结论与展望第70-72页
    4.1 研究工作总结第70-71页
    4.2 工作展望第71-72页
参考文献第72-76页
硕士期间发表论文及申请专利情况第76-78页
致谢第78页

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