| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| 1.1 扇出型圆片级封装技术研究背景 | 第12-19页 |
| 1.1.1 先进封装技术概念 | 第12-15页 |
| 1.1.2 扇出型圆片级封装技术的国内外研究现状 | 第15-19页 |
| 1.2 选题内容及研究目标 | 第19-20页 |
| 1.3 论文内容安排 | 第20-22页 |
| 第二章 内嵌TSI硅转接板设计开发与特性 | 第22-42页 |
| 2.1 内嵌TSI硅转接板工艺设计与开发 | 第23-34页 |
| 2.1.1 内嵌TSI硅转接板的工艺流程设计 | 第23-26页 |
| 2.1.2 内嵌TSI硅转接板的玻璃回流工艺开发 | 第26-31页 |
| 2.1.3 TSI硅转接板凹坑制作工艺 | 第31-33页 |
| 2.1.4 内嵌TSI硅转接板的样品制备 | 第33-34页 |
| 2.2 内嵌TSI硅转接板测试分析 | 第34-40页 |
| 2.2.1 电阻测试和击穿电压测试 | 第35-37页 |
| 2.2.2 热应力与气密性测试分析 | 第37-40页 |
| 2.3 本章小结 | 第40-42页 |
| 第三章 空心铜TSV内嵌硅转接板设计开发与特性 | 第42-70页 |
| 3.1 空心铜TSV内嵌硅转接板工艺设计与开发 | 第42-54页 |
| 3.1.1 空心铜TSV的内嵌硅转接板的工艺设计流程 | 第43-45页 |
| 3.1.2 TMAH的超声湿法腐蚀工艺 | 第45-48页 |
| 3.1.3 空心铜TSV的保型电镀工艺开发 | 第48-53页 |
| 3.1.4 空心铜TSV内嵌硅转接版样品制备 | 第53-54页 |
| 3.2 基于空心铜TSV内嵌硅转接板的叠层封装设计与验证 | 第54-68页 |
| 3.2.1 面向射频应用的空心铜TSV内嵌硅转接板装配工艺设计 | 第55-57页 |
| 3.2.2 空心铜TSV内嵌硅转接板的装配应力仿真分析 | 第57-61页 |
| 3.2.3 空心铜TSV内嵌硅转接板热应力的影响参数与特性研究 | 第61-66页 |
| 3.2.4 空心铜TSV内嵌硅转接板的装配测试 | 第66-68页 |
| 3.3 本章小结 | 第68-70页 |
| 第四章 结论与展望 | 第70-72页 |
| 4.1 研究工作总结 | 第70-71页 |
| 4.2 工作展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 硕士期间发表论文及申请专利情况 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
