| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 1 绪论 | 第12-35页 |
| ·集成电路发展的历史与挑战 | 第12-14页 |
| ·集成电路发展历史 | 第12-14页 |
| ·集成电路发展面临的挑战 | 第14页 |
| ·高介电常数材料的发展现状 | 第14-19页 |
| ·高k栅介质材料的选择依据 | 第15-17页 |
| ·常用的高k栅介质材料体系 | 第17-18页 |
| ·Hf基高k栅介质材料的研究现状 | 第18-19页 |
| ·新型沟道材料的研究现状 | 第19-22页 |
| ·新型沟道材料综述 | 第19-21页 |
| ·InP的特性及研究进展 | 第21-22页 |
| ·更高介电常数材料的研究现状 | 第22-24页 |
| ·更高介电常数材料简介 | 第22页 |
| ·常用的更高介电常数材料体系 | 第22-24页 |
| ·论文研究的内容及意义 | 第24-26页 |
| ·研究内容 | 第24-25页 |
| ·研究意义 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-35页 |
| 2 薄膜的制备方法与表征技术 | 第35-48页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第35-38页 |
| ·常用的薄膜制备方法 | 第35页 |
| ·磁控溅射法制备薄膜 | 第35-37页 |
| ·原子层沉积法制备薄膜 | 第37-38页 |
| ·快速热退火技术 | 第38-39页 |
| ·光刻技术 | 第39页 |
| ·表征方法 | 第39-47页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第39-41页 |
| ·紫外-可见分光光度法(UV-VIS) | 第41页 |
| ·高分辨率透射电镜(HRTEM) | 第41-42页 |
| ·电流-电压特性(I-V) | 第42-43页 |
| ·电容-电压特性(C-V) | 第43-47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
| 3 CeO_2掺杂HfO_2薄膜在Si衬底上的沉积及性能研究 | 第48-62页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·样品制备 | 第48-51页 |
| ·靶材制备 | 第48-49页 |
| ·衬底清洗 | 第49-50页 |
| ·薄膜沉积 | 第50-51页 |
| ·MOS电容结构制备 | 第51页 |
| ·CDH/Si栅堆栈结构的性能分析 | 第51-55页 |
| ·CeO_2的掺入对于HfO_2/Si堆栈层化学组分的影响 | 第51-53页 |
| ·CeO_2的掺入对于HfO_2/Si堆栈层电学性能的影响 | 第53-55页 |
| ·CeO_2掺入量对于CDH/Si堆栈层电学性能的影响 | 第55-57页 |
| ·氧分压对于CDH薄膜电学性能的影响 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 4 NH_3气氛下Gd_2O_3-HfO_2/Si栅堆栈结构的热稳定性研究 | 第62-75页 |
| ·引言 | 第62页 |
| ·样品制备 | 第62-63页 |
| ·GDH薄膜的热稳定性探索 | 第63-68页 |
| ·RTA前后GDH薄膜的微观结构形貌对比 | 第63-64页 |
| ·RTA前后GDH薄膜的界面成分分析 | 第64-66页 |
| ·RTA前后GDH薄膜的电性能对比 | 第66-68页 |
| ·NH_3气氛下不同退火温度对GDH薄膜性能的影响 | 第68-71页 |
| ·小结 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 5 HfO_2/InP栅堆栈结构的界面及能带结构研究 | 第75-84页 |
| ·引言 | 第75页 |
| ·样品制备 | 第75-76页 |
| ·HfO_2/InP栅堆栈结构的XPS分析 | 第76-77页 |
| ·HfO_2/InP栅堆栈界面的能带结构研究 | 第77-80页 |
| ·本章小结 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-84页 |
| 6 GDH薄膜在InP(100)上的生长及性能研究 | 第84-92页 |
| ·引言 | 第84页 |
| ·样品制备 | 第84-85页 |
| ·GDH/InP结构的光电子能谱及微观结构表征 | 第85-87页 |
| ·GDH/InP界面能带结构的研究 | 第87-88页 |
| ·W/GDH/InP栅堆栈结构的电学性能研究 | 第88-89页 |
| ·本章小结 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-92页 |
| 7 更高介电常数氧化物在Si上的生长及性能研究 | 第92-103页 |
| ·引言 | 第92页 |
| ·磁控溅射法制备的HfTiO/SiO_2/Si栅堆栈结构的性能研究 | 第92-95页 |
| ·HfTiO/SiO_2/Si栅堆栈结构的制备 | 第92-93页 |
| ·HfTiO/SiO_2/Si栅堆栈结构的HRTEM表征 | 第93页 |
| ·HfTiO/SiO_2/Si栅堆栈结构的电性能分析 | 第93-95页 |
| ·原子层沉积法(ALD)制备的HfTiO/SiO_2/Si栅堆栈结构的性能研究 | 第95-100页 |
| ·HfTiO/SiO_2/Si栅堆栈结构的制备 | 第95-97页 |
| ·HfTiO/SiO_2/Si栅堆栈结构的微观形貌和电学性能 | 第97-98页 |
| ·RTA对HfTiO/SiO_2/Si栅堆栈结构的的影响 | 第98-100页 |
| ·本章小结 | 第100-102页 |
| 参考文献 | 第102-103页 |
| 结论 | 第103-106页 |
| 主要工作和结论 | 第103-104页 |
| 下一步工作展望 | 第104-106页 |
| 攻读博士学位期间取得的学术成果 | 第106-108页 |
| 致谢 | 第108-109页 |
| 作者简介 | 第109页 |
