| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-24页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·石墨烯的性质 | 第11-15页 |
| ·石墨烯的制备 | 第15-17页 |
| ·石墨烯在晶体管和光电器件中的研究现状 | 第17-22页 |
| ·石墨烯场效应晶体管 | 第17-20页 |
| ·石墨烯光电器件的研究 | 第20-22页 |
| ·本文的研究目的和内容 | 第22-24页 |
| ·问题的提出和意义 | 第22-23页 |
| ·本文的研究内容与目的 | 第23-24页 |
| 2 制备方法与表征技术 | 第24-30页 |
| ·石墨烯及其器件的制备方法与结构原理 | 第24-27页 |
| ·化学气相沉积 | 第24-25页 |
| ·刻蚀技术 | 第25-26页 |
| ·磁控溅射镀膜技术 | 第26-27页 |
| ·表征方法 | 第27-30页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第27页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM) | 第27页 |
| ·拉曼光谱(Raman) | 第27-28页 |
| ·X射线光电子能谱分析(XPS) | 第28页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第28-29页 |
| ·Ⅰ-Ⅴ | 第29-30页 |
| 3 石墨烯的CVD法制备与微观表征 | 第30-38页 |
| ·CVD法制备石墨烯的机理 | 第30-31页 |
| ·石墨烯的制备与转移 | 第31-37页 |
| ·石墨烯的制备 | 第31-32页 |
| ·石墨烯生长衬底的XRD分析 | 第32页 |
| ·石墨烯的转移 | 第32-33页 |
| ·石墨烯的生长参数优化及其拉曼光谱图 | 第33-35页 |
| ·石墨烯的微观表征 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 4 石墨烯场效应晶体管 | 第38-44页 |
| ·石墨烯场效应晶体管的结构及原理 | 第38页 |
| ·石墨烯场效应晶体管的制备 | 第38-39页 |
| ·石墨烯场效应晶体管的电学性能 | 第39-40页 |
| ·真空退火对石墨烯场效应晶体管的作用 | 第40-42页 |
| ·引言 | 第40-41页 |
| ·对GFET器件的真空退火实验 | 第41页 |
| ·真空退火后器件的性能分析 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 5 石墨烯/氧化锌异质结 | 第44-53页 |
| ·石墨烯光电器件的机理 | 第44页 |
| ·Graphene/ZnO薄膜的异质结 | 第44-48页 |
| ·实验样品的制备 | 第44-45页 |
| ·ZnO薄膜与异质结的表征 | 第45-47页 |
| ·Graphene/ZnO结的I-V特性 | 第47-48页 |
| ·ZnO/Graphene/n-Si结 | 第48-52页 |
| ·Al/ZnO/Graphene/n-Si/Al结构器件的制备 | 第48-49页 |
| ·Al/ZnO/Graphene/n-Si/Al器件的电学性能 | 第49-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
