| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-14页 |
| 符号对照表 | 第14-17页 |
| 缩略语对照表 | 第17-21页 |
| 第一章 绪论 | 第21-29页 |
| ·三维集成技术研究背景和意义 | 第21-24页 |
| ·基于TSV技术三维集成的优势 | 第24-25页 |
| ·基于TSV技术三维集成的挑战 | 第25-26页 |
| ·本论文的研究工作和结构安排 | 第26-29页 |
| 第二章 基于TSV的三维集成的关键工艺技术 | 第29-41页 |
| ·基于SiO_2介质层的TSV工艺技术 | 第29-37页 |
| ·TSV制造的工艺顺序 | 第29-33页 |
| ·TSV制造的键合方式 | 第33-34页 |
| ·TSV制造的键合方向 | 第34-35页 |
| ·基于后通孔技术的SiO_2介质层TSV的制作工艺 | 第35-37页 |
| ·基于BCB介质层的TSV工艺技术 | 第37-38页 |
| ·基于Air-Gap介质层的TSV工艺技术 | 第38-40页 |
| ·结论 | 第40-41页 |
| 第三章 空气隙TSV寄生参数与等效电路研究 | 第41-67页 |
| ·圆柱形TSV寄生参数提取 | 第41-53页 |
| ·圆柱形TSV寄生电阻 | 第41-43页 |
| ·圆柱形TSV寄生电感 | 第43-46页 |
| ·圆柱形TSV寄生电容 | 第46-51页 |
| ·圆柱形TSV硅衬底的寄生电导与电容 | 第51-52页 |
| ·圆柱形TSV的其它寄生效应 | 第52-53页 |
| ·锥形TSV寄生电感的提取 | 第53-58页 |
| ·TSV等效电路研究 | 第58-65页 |
| ·GSG模式TSV等效电路 | 第58-64页 |
| ·GSG与GS模式TSV结构对比 | 第64-65页 |
| ·结论 | 第65-67页 |
| 第四章 空气腔TSV寄生参数与等效电路研究 | 第67-79页 |
| ·空气腔互连工艺 | 第67-70页 |
| ·空气腔TSV性能研究 | 第70-76页 |
| ·空气腔TSV的品质因数 | 第70-74页 |
| ·空气腔TSV的S参数 | 第74-76页 |
| ·空气腔TSV等效电路研究 | 第76-78页 |
| ·结论 | 第78-79页 |
| 第五章 热效应对TSV寄生参数的影响 | 第79-91页 |
| ·热效应对TSV导体金属的影响 | 第79-85页 |
| ·温度对TSV铜导体寄生电阻的影响 | 第79-80页 |
| ·电阻温度系数TCR | 第80-81页 |
| ·工作频率对TCR的影响 | 第81-83页 |
| ·TSV导体半径对TCR的影响 | 第83-85页 |
| ·热效应对TSV介质层的影响 | 第85-88页 |
| ·热效应对TSV硅衬底的影响 | 第88-89页 |
| ·热效应对TSV的S参数的影响 | 第89页 |
| ·结论 | 第89-91页 |
| 第六章 高速三维集成互连通道电磁特性的研究 | 第91-111页 |
| ·集总元件匹配 | 第91-102页 |
| ·基于TSV技术的三维高速信号通道 | 第92-93页 |
| ·基于TSV的T-型等效电路模型 | 第93-101页 |
| ·基于TSV的π-型等效电路模型 | 第101-102页 |
| ·切比雪夫多节互连线匹配 | 第102-110页 |
| ·小信号反射理论 | 第102-104页 |
| ·切比雪夫多节互连线匹配原理 | 第104-105页 |
| ·三维传输模型中的切比雪夫多节互连线 | 第105-108页 |
| ·切比雪夫多节互连线对三维传输延迟的影响 | 第108-109页 |
| ·切比雪夫多节互连线对三维通道功耗的影响 | 第109-110页 |
| ·结论 | 第110-111页 |
| 第七章 总结与展望 | 第111-115页 |
| ·研究总结 | 第111-112页 |
| ·研究展望 | 第112-115页 |
| 参考文献 | 第115-123页 |
| 致谢 | 第123-125页 |
| 作者简介 | 第125-126页 |