新型硅通孔（TSV）的电磁特性研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-15页 |
| 符号对照表 | 第15-19页 |
| 缩略语对照表 | 第19-24页 |
| 第一章 绪论 | 第24-48页 |
| ·研究背景及意义 | 第24-25页 |
| ·3D IC | 第25-40页 |
| ·3D IC的优势 | 第25-27页 |
| ·3D IC的发展现状 | 第27-31页 |
| ·3D IC的发展趋势 | 第31-35页 |
| ·3D IC面临的挑战 | 第35-40页 |
| ·TSV技术 | 第40-46页 |
| ·TSV在三维集成电路中扮演的角色 | 第40-42页 |
| ·TSV技术的主要研究方向及进展 | 第42-46页 |
| ·论文的研究内容及结构安排 | 第46-48页 |
| 第二章 基于TSV的3D IC工艺流程 | 第48-62页 |
| ·基于TSV的3D IC分类 | 第48-55页 |
| ·TSV的制造顺序 | 第48-52页 |
| ·堆叠方式 | 第52-54页 |
| ·键合方式 | 第54-55页 |
| ·TSV制造工艺 | 第55-59页 |
| ·刻蚀深孔 | 第55-56页 |
| ·淀积绝缘层 | 第56-57页 |
| ·淀积阻挡层和种子层 | 第57页 |
| ·填充导电材料 | 第57-59页 |
| ·化学机械抛光 | 第59页 |
| ·减薄技术 | 第59-60页 |
| ·键合技术 | 第60-61页 |
| ·二氧化硅键合 | 第60页 |
| ·高分子聚合物键合 | 第60页 |
| ·金属键合 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第三章 T-TSV的电磁模型和特性 | 第62-84页 |
| ·圆柱形TSV的等效电路模型 | 第62-66页 |
| ·T-TSV的电阻和电感模型 | 第66-71页 |
| ·电阻模型 | 第66-67页 |
| ·电感模型 | 第67-68页 |
| ·模型验证 | 第68-71页 |
| ·T-TSV的氧化层电容和硅衬底电容模型 | 第71-76页 |
| ·氧化层电容模型 | 第71-73页 |
| ·硅衬底电容模型 | 第73-75页 |
| ·模型验证 | 第75-76页 |
| ·T-TSV的等效电路模型 | 第76-78页 |
| ·T-TSV的等效电路模型的验证 | 第78-80页 |
| ·T-TSV的特性研究 | 第80-82页 |
| ·本章小结 | 第82-84页 |
| 第四章 SDTSV的电磁模型和特性 | 第84-100页 |
| ·SDTSV的结构 | 第84-85页 |
| ·SDTSV的等效电路模型 | 第85-88页 |
| ·等效电路模型 | 第85-87页 |
| ·简化等效电路模型 | 第87-88页 |
| ·SDTSV等效电路模型的验证 | 第88-90页 |
| ·SDTSV的RLCG参数全波提取方法 | 第90-94页 |
| ·RLCG参数全波提取方法 | 第90-92页 |
| ·提取方法的验证 | 第92-94页 |
| ·SDTSV的特性研究 | 第94-98页 |
| ·差分插入损耗S_(d2d1) | 第94-96页 |
| ·差分阻抗Z_(diff) | 第96-98页 |
| ·本章小结 | 第98-100页 |
| 第五章 基于CNT束的无畸变TSV | 第100-114页 |
| ·CNT | 第100-106页 |
| ·CNT的传输特性 | 第100-101页 |
| ·SWCNT的等效电路模型 | 第101-103页 |
| ·MWCNT的等效电路模型 | 第103-106页 |
| ·CNT束有效电阻和电感的计算 | 第106-109页 |
| ·计算方法 | 第106-108页 |
| ·计算结果 | 第108-109页 |
| ·无畸变TSV | 第109-112页 |
| ·本章小结 | 第112-114页 |
| 第六章 总结与展望 | 第114-118页 |
| ·工作总结 | 第114-115页 |
| ·工作展望 | 第115-118页 |
| 参考文献 | 第118-136页 |
| 致谢 | 第136-138页 |
| 作者简介 | 第138-139页 |
