二硫化钼薄膜纳米器件电子输运特性的第一性原理研究
| 摘要 | 第10-12页 |
| Abstract | 第12-14页 |
| 第一章 绪论 | 第15-33页 |
| 1.1 研究背景 | 第15-16页 |
| 1.2 相关研究工作 | 第16-29页 |
| 1.2.1 单层二硫化钼制备 | 第18-21页 |
| 1.2.2 单层二硫化钼表征 | 第21-23页 |
| 1.2.3 单层二硫化钼光电性质 | 第23-25页 |
| 1.2.4 单层二硫化钼异质结 | 第25-27页 |
| 1.2.5 单层二硫化钼光电器件 | 第27-29页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第29-30页 |
| 1.3.1 主要研究内容 | 第29页 |
| 1.3.2 主要创新点 | 第29-30页 |
| 1.4 本文结构 | 第30-33页 |
| 第二章 理论与计算方法 | 第33-49页 |
| 2.1 引言 | 第33页 |
| 2.2 量子力学基础 | 第33-36页 |
| 2.2.1 薛定谔方程 | 第33-34页 |
| 2.2.2 波恩-奥本海默近似 | 第34-35页 |
| 2.2.3 单电子近似 | 第35-36页 |
| 2.2.4 周期场近似 | 第36页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第36-45页 |
| 2.3.1 霍恩伯格-科恩定理 | 第37-38页 |
| 2.3.2 科恩-沈吕九方程 | 第38-39页 |
| 2.3.3 交换关联泛函 | 第39-40页 |
| 2.3.4 平面波基组 | 第40-42页 |
| 2.3.5 赝势 | 第42-43页 |
| 2.3.6 VASP软件包 | 第43-45页 |
| 2.4 纳米器件电子输运理论 | 第45-47页 |
| 2.4.1 非平衡态格林函数理论 | 第45-47页 |
| 2.4.2 Nanodcal软件包 | 第47页 |
| 2.5 本章小结 | 第47-49页 |
| 第三章 单层二硫化钼多相性质及相变原理 | 第49-65页 |
| 3.1 引言 | 第49-50页 |
| 3.2 计算模型与方法 | 第50-52页 |
| 3.2.1 计算模型 | 第50-51页 |
| 3.2.2 计算方法 | 第51-52页 |
| 3.3 多相性质 | 第52-59页 |
| 3.3.1 2H相晶格结构与电子性质 | 第52-55页 |
| 3.3.2 1T相晶格结构与电子性质 | 第55-56页 |
| 3.3.3 ZT相晶格结构与电子性质 | 第56-58页 |
| 3.3.4 多相性质比较 | 第58-59页 |
| 3.4 相变原理 | 第59-63页 |
| 3.4.1 三种相吸附锂原子稳定性比较 | 第59-60页 |
| 3.4.2 相变原理分析 | 第60-63页 |
| 3.5 小结 | 第63-65页 |
| 第四章 二硫化钼异质结 | 第65-85页 |
| 4.1 引言 | 第65-67页 |
| 4.2 计算模型与方法 | 第67-70页 |
| 4.2.1 计算模型 | 第67-70页 |
| 4.2.2 计算方法 | 第70页 |
| 4.3 二硫化钼/二硫化钨异质结 | 第70-78页 |
| 4.3.1 层间距离优化 | 第72-74页 |
| 4.3.2 能带结构分析 | 第74-76页 |
| 4.3.3 态密度分析 | 第76-77页 |
| 4.3.4 差分电荷密度分析 | 第77-78页 |
| 4.4 二硫化钼/石墨烯异质结 | 第78-84页 |
| 4.4.1 层间距离优化 | 第78-80页 |
| 4.4.2 能带结构分析 | 第80-82页 |
| 4.4.3 态密度分析 | 第82-83页 |
| 4.4.4 差分电荷密度分析 | 第83-84页 |
| 4.5 本章小结 | 第84-85页 |
| 第五章 金衬底调控单层二硫化钼电子性能 | 第85-99页 |
| 5.1 引言 | 第85-86页 |
| 5.2 计算模型与方法 | 第86-91页 |
| 5.2.1 晶格结构 | 第86-89页 |
| 5.2.2 计算模型 | 第89-90页 |
| 5.2.3 计算方法 | 第90-91页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第91-96页 |
| 5.3.1 结构弛豫及吸附能分析 | 第91-92页 |
| 5.3.2 能带结构分析 | 第92-93页 |
| 5.3.3 态密度分析 | 第93-95页 |
| 5.3.4 电荷密度分析 | 第95-96页 |
| 5.4 小结 | 第96-99页 |
| 第六章 二硫化钼薄膜纳米器件 | 第99-111页 |
| 6.1 引言 | 第99-100页 |
| 6.2 计算模型与方法 | 第100-104页 |
| 6.2.1 计算模型 | 第100-103页 |
| 6.2.2 计算方法 | 第103-104页 |
| 6.3 单层二硫化钼纳米器件 | 第104-107页 |
| 6.3.1 Zigzag方向电子输运特性分析 | 第104-106页 |
| 6.3.2 Armchair方向电子输运特性分析 | 第106-107页 |
| 6.4 二硫化钼/二硫化钨异质结纳米器件 | 第107-109页 |
| 6.4.1 Zigzag方向电子输运特性分析 | 第107-108页 |
| 6.4.2 Armchair方向电子输运特性分析 | 第108-109页 |
| 6.5 小结 | 第109-111页 |
| 第七章 结束语 | 第111-115页 |
| 7.1 论文工作总结 | 第111-112页 |
| 7.2 课题研究展望 | 第112-115页 |
| 致谢 | 第115-117页 |
| 参考文献 | 第117-127页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第127页 |
