摘要 | 第14-16页 |
Abstract | 第16-17页 |
第一章 绪论 | 第18-40页 |
1.1 课题研究背景 | 第18-32页 |
1.1.1 单粒子效应成为空天集成电路失效的主要原因 | 第18-20页 |
1.1.2 空天应用对高速串行通信需求不断增长 | 第20-23页 |
1.1.3 SerDes内部组件正成为单粒子敏感组件 | 第23-29页 |
1.1.4 脉冲激光成为研究单粒子效应的有力工具 | 第29-32页 |
1.2 国内外研究的现状和不足 | 第32-37页 |
1.2.1 数模混合系统的单粒子瞬态研究 | 第32-34页 |
1.2.2 CDR的单粒子瞬态研究 | 第34-36页 |
1.2.3 单粒子效应的脉冲激光微束试验 | 第36-37页 |
1.3 本文主要研究内容 | 第37-39页 |
1.4 本文组织结构 | 第39-40页 |
第二章 SerDes接收器的单粒子敏感区定位 | 第40-54页 |
2.1 引言 | 第40页 |
2.2 待测芯片及试验流程 | 第40-42页 |
2.2.1 待测芯片 | 第40-41页 |
2.2.2 试验流程 | 第41-42页 |
2.3 SerDes接收器的重离子试验 | 第42-44页 |
2.4 脉冲激光微束系统及试验方法 | 第44-49页 |
2.4.1 脉冲激光微束试验系统简介 | 第44-45页 |
2.4.2 样品的备制 | 第45-46页 |
2.4.3 纳米级电路的激光试验方法 | 第46-49页 |
2.5 SerDes接收器敏感区的脉冲激光微束定位 | 第49-53页 |
2.6 本章小结 | 第53-54页 |
第三章 CDR状态机的SET分析及加固 | 第54-83页 |
3.1 引言 | 第54-55页 |
3.2 PI型CDR的系统模型和测试模型 | 第55-64页 |
3.2.1 数字滤波器阶数的选定 | 第55-59页 |
3.2.2 CDR抖动的定义和影响因素 | 第59-60页 |
3.2.3 CDR系统建模 | 第60-63页 |
3.2.4 CDR测试模型 | 第63-64页 |
3.3 CDR状态机的数字脉冲SET注入及分析 | 第64-73页 |
3.3.1 数字脉冲模拟单粒子建模 | 第64-65页 |
3.3.2 循环累加器的脉冲注入 | 第65-69页 |
3.3.3 饱和累加器的脉冲注入 | 第69-72页 |
3.3.4 DEMUX和VOTER的脉冲注入 | 第72-73页 |
3.3.5 单粒子敏感性结论 | 第73页 |
3.4 CDR状态回退加固技术 | 第73-82页 |
3.4.1 状态回退技术简介 | 第73-75页 |
3.4.2 CDR状态回退逻辑加固 | 第75-81页 |
3.4.3 CDR逻辑加固和单元库加固的比较 | 第81-82页 |
3.5 本章小结 | 第82-83页 |
第四章 CDR模拟模块的SET分析及加固 | 第83-111页 |
4.1 引言 | 第83-84页 |
4.2 相位插值器的单粒子敏感性分析及加固 | 第84-101页 |
4.2.1 相位插值原理和电路结构 | 第84-86页 |
4.2.2 TCAD混合模拟和结果分析 | 第86-93页 |
4.2.3 单粒子敏感性结论 | 第93页 |
4.2.4 关态栅隔离加固技术 | 第93-101页 |
4.3 高速采样器的单粒子敏感性分析和加固 | 第101-110页 |
4.3.1 高速采样器电路结构和TCAD建模 | 第101-104页 |
4.3.2 TCAD混合模拟和结果分析 | 第104-108页 |
4.3.3 单粒子敏感性结论 | 第108-109页 |
4.3.4 平衡传输门加固技术 | 第109-110页 |
4.4 本章小结 | 第110-111页 |
第五章 SET加固CDR芯片的实现 | 第111-124页 |
5.1 SET加固CDR芯片的实现 | 第111-116页 |
5.1.1 加固芯片结构设计 | 第111-113页 |
5.1.2 加固芯片版图设计 | 第113-116页 |
5.2 版图后仿真及性能分析 | 第116-121页 |
5.2.1 相位插值器后仿 | 第116-118页 |
5.2.2 高速采样器后仿 | 第118页 |
5.2.3 锁相环后仿 | 第118-120页 |
5.2.4 全芯片的后仿 | 第120-121页 |
5.3 SET测试系统 | 第121-124页 |
第六章 结束语 | 第124-128页 |
6.1 工作总结 | 第124-125页 |
6.2 工作展望 | 第125-128页 |
致谢 | 第128-130页 |
参考文献 | 第130-142页 |
作者在学期间取得的学术成果 | 第142-143页 |