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PI型CDR电路单粒子瞬态效应及其加固

摘要第14-16页
Abstract第16-17页
第一章 绪论第18-40页
    1.1 课题研究背景第18-32页
        1.1.1 单粒子效应成为空天集成电路失效的主要原因第18-20页
        1.1.2 空天应用对高速串行通信需求不断增长第20-23页
        1.1.3 SerDes内部组件正成为单粒子敏感组件第23-29页
        1.1.4 脉冲激光成为研究单粒子效应的有力工具第29-32页
    1.2 国内外研究的现状和不足第32-37页
        1.2.1 数模混合系统的单粒子瞬态研究第32-34页
        1.2.2 CDR的单粒子瞬态研究第34-36页
        1.2.3 单粒子效应的脉冲激光微束试验第36-37页
    1.3 本文主要研究内容第37-39页
    1.4 本文组织结构第39-40页
第二章 SerDes接收器的单粒子敏感区定位第40-54页
    2.1 引言第40页
    2.2 待测芯片及试验流程第40-42页
        2.2.1 待测芯片第40-41页
        2.2.2 试验流程第41-42页
    2.3 SerDes接收器的重离子试验第42-44页
    2.4 脉冲激光微束系统及试验方法第44-49页
        2.4.1 脉冲激光微束试验系统简介第44-45页
        2.4.2 样品的备制第45-46页
        2.4.3 纳米级电路的激光试验方法第46-49页
    2.5 SerDes接收器敏感区的脉冲激光微束定位第49-53页
    2.6 本章小结第53-54页
第三章 CDR状态机的SET分析及加固第54-83页
    3.1 引言第54-55页
    3.2 PI型CDR的系统模型和测试模型第55-64页
        3.2.1 数字滤波器阶数的选定第55-59页
        3.2.2 CDR抖动的定义和影响因素第59-60页
        3.2.3 CDR系统建模第60-63页
        3.2.4 CDR测试模型第63-64页
    3.3 CDR状态机的数字脉冲SET注入及分析第64-73页
        3.3.1 数字脉冲模拟单粒子建模第64-65页
        3.3.2 循环累加器的脉冲注入第65-69页
        3.3.3 饱和累加器的脉冲注入第69-72页
        3.3.4 DEMUX和VOTER的脉冲注入第72-73页
        3.3.5 单粒子敏感性结论第73页
    3.4 CDR状态回退加固技术第73-82页
        3.4.1 状态回退技术简介第73-75页
        3.4.2 CDR状态回退逻辑加固第75-81页
        3.4.3 CDR逻辑加固和单元库加固的比较第81-82页
    3.5 本章小结第82-83页
第四章 CDR模拟模块的SET分析及加固第83-111页
    4.1 引言第83-84页
    4.2 相位插值器的单粒子敏感性分析及加固第84-101页
        4.2.1 相位插值原理和电路结构第84-86页
        4.2.2 TCAD混合模拟和结果分析第86-93页
        4.2.3 单粒子敏感性结论第93页
        4.2.4 关态栅隔离加固技术第93-101页
    4.3 高速采样器的单粒子敏感性分析和加固第101-110页
        4.3.1 高速采样器电路结构和TCAD建模第101-104页
        4.3.2 TCAD混合模拟和结果分析第104-108页
        4.3.3 单粒子敏感性结论第108-109页
        4.3.4 平衡传输门加固技术第109-110页
    4.4 本章小结第110-111页
第五章 SET加固CDR芯片的实现第111-124页
    5.1 SET加固CDR芯片的实现第111-116页
        5.1.1 加固芯片结构设计第111-113页
        5.1.2 加固芯片版图设计第113-116页
    5.2 版图后仿真及性能分析第116-121页
        5.2.1 相位插值器后仿第116-118页
        5.2.2 高速采样器后仿第118页
        5.2.3 锁相环后仿第118-120页
        5.2.4 全芯片的后仿第120-121页
    5.3 SET测试系统第121-124页
第六章 结束语第124-128页
    6.1 工作总结第124-125页
    6.2 工作展望第125-128页
致谢第128-130页
参考文献第130-142页
作者在学期间取得的学术成果第142-143页

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