深亚微米光阻残留颗粒的研究

摘要	第1-4页
Abstract	第4-5页
第一章 绪论	第5-9页
·中国半导体的发展	第5-6页
·激烈竞争的IC制造业	第6页
·良率	第6-7页
·晶圆表面污染物的分类与湿法清洗简介	第7-8页
·课题的提出	第8-9页
第二章 深亚微米颗粒在多晶硅栅工艺中的危害	第9-14页
·深亚微米污染物导致的产品问题	第9-10页
·对于缺陷性质与影响的分析	第10-11页
·深亚微米表面污染物的来源	第11-13页
·本章小结	第13-14页
第三章 深亚微米污染物的产生和分析	第14-20页
·间接观测深亚微米污染物的方法	第14-16页
·间接观测法的应用实验	第16-17页
·SPM槽污染物的来源	第17-19页
·本章小结	第19-20页
第四章 深亚微米污染物去除工艺的优化	第20-28页
·污染物的微观分类	第20页
·污染物的去除机理以及影响因素	第20-22页
·SC1清洗与兆声波技术	第22-25页
·优化湿法光阻剥离后的清洗工艺	第25-27页
·本章小结	第27-28页
第五章 深亚微米污染物的监控方法	第28-33页
·放大检测法的应用实验	第28-29页
·SPM药液的使用时间与检测结果的关系	第29-30页
·检测工艺过程中的系统误差	第30-31页
·如何回收利用检测控片	第31-32页
·本章小结	第32-33页
第六章 总结与展望	第33-36页
·深亚微米颗粒研究结果总结	第33-34页
·清洗技术发展趋势展望	第34-36页
参考文献	第36-38页
致谢	第38-39页