| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·high-k栅介质的技术要求 | 第9-10页 |
| ·论文构架 | 第10-12页 |
| 第二章 实验及测试方法 | 第12-15页 |
| ·原子层淀积工艺原理 | 第12-13页 |
| ·超薄high-k栅介质的材料表征方法 | 第13-15页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第13-14页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第14-15页 |
| 第三章 GaAs衬底的表面预处理及对原子层淀积Al_2O_3薄膜性能的影响 | 第15-26页 |
| ·引言 | 第15-16页 |
| ·实验步骤 | 第16页 |
| ·实验过程 | 第16-17页 |
| ·GaAs的表面清洗工艺 | 第16页 |
| ·GaAs的表面预处理工艺 | 第16-17页 |
| ·Al_2O_3薄膜生长 | 第17页 |
| ·结果和讨论 | 第17-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第四章 GeSi表面原子层淀积Al_2O_3high-k栅介质的初始反应机理研究 | 第26-34页 |
| ·氢钝化的GeSi(001)-2×1表面 | 第26-28页 |
| ·氢钝化GeSi表面原子层淀积Al_2O_3的初始反应机理 | 第28-33页 |
| ·计算方法 | 第28-29页 |
| ·结论与分析 | 第29-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第五章 N_2和NH_3退火对原子层淀积铪铝氧栅介质C-V特性的影响 | 第34-46页 |
| ·引言 | 第34-36页 |
| ·实验过程 | 第36-38页 |
| ·Si片的化学清洗 | 第36-37页 |
| ·HfAIO薄膜的生长 | 第37页 |
| ·淀积后退火 | 第37-38页 |
| ·结论与分析 | 第38-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第六章 结论 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-53页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
