铜互联工艺的氮化钽扩散阻挡层研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-18页 |
| ·课题背景 | 第8-10页 |
| ·扩散阻挡层概述 | 第10-15页 |
| ·扩散阻挡层的性能要求 | 第10-11页 |
| ·扩散阻挡层的分类 | 第11-12页 |
| ·扩散阻挡层的制备方法 | 第12-15页 |
| ·氮化钽扩散阻挡层的研究现状 | 第15-16页 |
| ·本文主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 氮化钽扩散阻挡层的制备及试验方法 | 第18-26页 |
| ·氮化钽扩散阻挡层的制备系统及原理 | 第18-20页 |
| ·氮化钽扩散阻挡层的制备 | 第20-22页 |
| ·实验材料 | 第20页 |
| ·基片预处理 | 第20-21页 |
| ·氮化钽薄膜的制备 | 第21-22页 |
| ·薄膜的结构及性能表征方法 | 第22-24页 |
| ·表面轮廓仪 | 第22-23页 |
| ·掠入射X 射线衍射(GIXRD)分析 | 第23页 |
| ·原子力显微镜(AFM)观察 | 第23页 |
| ·四探针电阻测试仪 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-26页 |
| 第3章 氮化钽扩散阻挡层的结构及性能研究 | 第26-40页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·氮分压对氮化钽薄膜结构及性能的影响 | 第26-30页 |
| ·溅射功率对氮化钽薄膜结构及性能的影响 | 第30-34页 |
| ·衬底温度对氮化钽薄膜结构及性能的影响 | 第34-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 氮化钽薄膜阻挡性及失效机制研究 | 第40-53页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·Cu 籽晶层的沉积 | 第40-43页 |
| ·实验材料 | 第40-41页 |
| ·Cu 籽晶层的制备 | 第41页 |
| ·Cu 籽晶层结构及形貌分析 | 第41-43页 |
| ·互联体系的热处理 | 第43页 |
| ·Ta 及TaN 薄膜扩散阻挡特性的研究 | 第43-51页 |
| ·Cu/Si 体系的结构形貌研究 | 第43-46页 |
| ·Cu/Ta/Si 体系的结构形貌研究 | 第46-48页 |
| ·Cu/TaN/Si 体系的结构形貌研究 | 第48-51页 |
| ·Ta 及TaN 扩散阻挡层的失效机制分析 | 第51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 结论 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 个人简历 | 第63页 |