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基于表面能理论的倒装芯片底填充封装过程研究

摘要第5-6页
abstract第6页
第1章 绪论第9-20页
    1.1 引言第9-10页
    1.2 倒装芯片封装技术与底填充工艺第10-16页
        1.2.1 倒装芯片封装技术第10-13页
        1.2.2 底填充工艺过程介绍第13-14页
        1.2.3 传统的倒装芯片底填充技术第14-16页
    1.3 国内外研究现状以及存在的问题第16-18页
        1.3.1 解析方法第16页
        1.3.2 实验研究第16-17页
        1.3.3 表面能第17-18页
        1.3.4 存在的问题第18页
    1.4 本文的研究内容第18-20页
第2章 基于表面能理论的倒装芯片底填充流动数学模型第20-28页
    2.1 引言第20页
    2.2 表面能第20-22页
    2.3 底填充流体的动能第22-23页
        2.3.1 连续性方程第22-23页
        2.3.2 底填充流动流体动能的变化第23页
    2.4 底填充流动的能量损耗第23-24页
    2.5 底填充流动预测模型的建立第24-25页
    2.6 底填充流动新型数学模型的求解第25-27页
        2.6.1 微分方程算法第25页
        2.6.2 Ode系列函数求解微分方程第25-26页
        2.6.3 底填充流动新型数学模型的求解第26-27页
    2.7 本章小结第27-28页
第3章 倒装芯片渗透率的检测第28-45页
    3.1 引言第28页
    3.2 倒装芯片渗透率检测装置的开发第28-39页
        3.2.1 检测原理第28-33页
        3.2.2 渗透率实验装置的设计与制作第33-39页
    3.3 倒装芯片渗透率检测实验第39-41页
        3.3.1 实物实验平台的搭建及实验步骤第39-40页
        3.3.2 渗透率检测实验第40-41页
        3.3.3 渗透率实验结果计算第41页
    3.4 渗透率检测装置的检验第41-44页
        3.4.1 数值模拟法第41-42页
        3.4.2 倒装芯片渗透率的数值模拟第42-44页
        3.4.3 实验结果比较及结论第44页
    3.5 本章小结第44-45页
第4章 倒装芯片底填充流动实验验证第45-67页
    4.1 引言第45页
    4.2 倒装芯片底填充第45页
    4.3 倒装芯片式样的制备第45-47页
    4.4 倒装芯片底填充实验材料的选择第47-51页
    4.5 倒装芯片底填充实验系统的搭建第51-55页
        4.5.1 实验方案第51页
        4.5.2 实验设备第51-54页
        4.5.3 底填充实验方案第54-55页
    4.6 倒装芯片底填充实验第55-60页
        4.6.1 倒装芯片试样信息第55-56页
        4.6.2 倒装芯片底填充实验步骤第56-58页
        4.6.3 实验结果第58-60页
    4.7 倒装芯片底填充实验结果与新型数学模型和Yao数学模型计算结果比较第60-65页
    4.8 实验结论第65-66页
    4.9 本章小结第66-67页
第5章 总结与展望第67-69页
    5.1 总结第67-68页
    5.2 展望第68-69页
参考文献第69-73页
致谢第73-74页
附录 攻读硕士期间的主要成果第74页

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