| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| 1.1 引言 | 第7-8页 |
| 1.2 研究背景和现状 | 第8-9页 |
| 1.3 研究目标及主要工作 | 第9-10页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第10-13页 |
| 第二章 TSV 功耗的模型仿真 | 第13-23页 |
| 2.1 仿真平台及仿真流程介绍 | 第13-15页 |
| 2.1.1 仿真平台介绍 | 第13-14页 |
| 2.1.2 仿真流程 | 第14-15页 |
| 2.2 TSV 的模型仿真 | 第15-16页 |
| 2.3 TSV 的等效电路模型 | 第16-17页 |
| 2.4 一些设计参数对 TSV 模型的影响 | 第17-23页 |
| 2.4.1 体接触的设置对于动态功耗的影响 | 第17-19页 |
| 2.4.2 衬底浓度的变化分析 | 第19-20页 |
| 2.4.3 趋肤效应对 TSV 模型的影响 | 第20-23页 |
| 第三章 TSV 信道的扩展性建模 | 第23-37页 |
| 3.1 3D-IC 模型以及 TSV 的设计参数 | 第23-25页 |
| 3.2 带有凸块(Bumps)的 TSV 模型 | 第25-32页 |
| 3.3 再分布层(RDL)的建模 | 第32-37页 |
| 第四章 3D-IC 中高速系统带宽分析 | 第37-43页 |
| 4.1 基于 RC 时间常数的 TSV 信道带宽分析 | 第37-40页 |
| 4.2 3D-IC 中高速系统带宽的最优化 | 第40-41页 |
| 4.3 本章小结 | 第41-43页 |
| 第五章 基于眼图分析 TSV 不同频段下的衰减 | 第43-65页 |
| 5.1 基于 S 参数的 TSV 电学特性仿真 | 第43-46页 |
| 5.2 TSV 信道的频域分析 | 第46-52页 |
| 5.2.1 氧化层厚度的影响 | 第46-49页 |
| 5.2.2 TSV 间距的影响 | 第49-50页 |
| 5.2.3 TSV 直径的影响 | 第50页 |
| 5.2.4 TSV 高度的影响 | 第50-51页 |
| 5.2.5 RDL 长度的影响 | 第51页 |
| 5.2.6 硅的电导率ζSi 的影响 | 第51页 |
| 5.2.7 小结 | 第51-52页 |
| 5.3 TSV 信道的时域分析 | 第52-55页 |
| 5.4 针对噪声耦合的 3D-IC 互连模型分析 | 第55-62页 |
| 5.4.1 针对噪声耦合的 TSV 模型分析 | 第56-58页 |
| 5.4.2 针对中介层互连线的传输特性分析 | 第58-62页 |
| 5.5 本章小结 | 第62-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第71-72页 |