Mg掺杂GaN薄膜退火性质及GaN薄膜湿法刻蚀的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 引言 | 第8-10页 |
| 1 GaN材料概述 | 第10-21页 |
| ·GaN材料的基本性质 | 第10-13页 |
| ·GaN材料的晶体结构 | 第10-11页 |
| ·GaN材料的化学性质 | 第11页 |
| ·GaN材料的光电性质 | 第11-13页 |
| ·GaN材料的制备 | 第13-15页 |
| ·氢化物气相外延(HVPE) | 第13页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第13-14页 |
| ·金属有机化学气相沉积(MOCVD) | 第14-15页 |
| ·Mg掺杂p型GaN的研究进展 | 第15-17页 |
| ·非故意掺杂GaN背景载流子的产生机制 | 第15-16页 |
| ·Mg-H复合体 | 第16页 |
| ·Mg受主的激活方法 | 第16-17页 |
| ·GaN材料湿法刻蚀的研究进展 | 第17-21页 |
| ·常规的湿法刻蚀 | 第17-18页 |
| ·光电化学(PEC)刻蚀 | 第18-21页 |
| 2 实验设备及表征手段 | 第21-32页 |
| ·实验设备简介 | 第21-27页 |
| ·MOCVD系统简介 | 第21-26页 |
| ·湿法刻蚀设备简介 | 第26-27页 |
| ·表征手段 | 第27-32页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第27-28页 |
| ·霍尔测试(Hall Effect) | 第28-30页 |
| ·光致发光光谱(PL) | 第30-31页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第31-32页 |
| 3 Mg掺杂GaN薄膜退火性质的研究 | 第32-40页 |
| ·实验过程 | 第32页 |
| ·结果与分析 | 第32-38页 |
| ·X射线衍射分析 | 第32-34页 |
| ·霍尔测试分析 | 第34-35页 |
| ·光致发光光谱分析 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 4 湿法刻蚀GaN的研究 | 第40-48页 |
| ·GaN材料腐蚀坑的研究进展 | 第40-41页 |
| ·PEC法刻蚀单层GaN | 第41-43页 |
| ·PEC法刻蚀GaN LED结构 | 第43-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-54页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
