| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 引言 | 第11-13页 |
| 1.1.1 CMP技术简介 | 第11-12页 |
| 1.1.2 抛光液在CMP过程中的作用和影响 | 第12-13页 |
| 1.1.3 CMP过程中存在的主要缺陷 | 第13页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第13-19页 |
| 1.2.1 复合磨粒的提出 | 第13-14页 |
| 1.2.2 国外对复合磨粒的研究 | 第14-16页 |
| 1.2.3 国内对复合磨粒的研究 | 第16-17页 |
| 1.2.4 静电层层自组装技术 | 第17-19页 |
| 1.3 本课题组前面取得的研究进展和结果 | 第19-20页 |
| 1.4 选题背景及意义 | 第20-21页 |
| 1.5 研究目的及主要研究内容 | 第21-22页 |
| 1.5.1 研究目的 | 第21页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第21-22页 |
| 1.6 本章小结 | 第22-23页 |
| 第2章 两种复合磨粒及其抛光液的制备 | 第23-35页 |
| 2.1 概述 | 第23页 |
| 2.2 实验材料与设备 | 第23-26页 |
| 2.2.1 实验材料 | 第23-24页 |
| 2.2.2 实验设备 | 第24-26页 |
| 2.3 抛光液的制备 | 第26-29页 |
| 2.3.1 单一、混合磨粒抛光液的制备 | 第26-27页 |
| 2.3.2 n-SiO_2/BGF复合磨粒抛光液的制备 | 第27-28页 |
| 2.3.3 PE_i-SiO_2/BGF复合磨粒抛光液的制备 | 第28-29页 |
| 2.4 样本的表征 | 第29-33页 |
| 2.4.1 表面Zate电位的测量 | 第29-31页 |
| 2.4.2 TEM观察 | 第31-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-35页 |
| 第3章 n-SiO_2/BGF复合磨粒抛光液CMP实验研究 | 第35-48页 |
| 3.1 概述 | 第35页 |
| 3.2 实验材料和设备 | 第35-37页 |
| 3.2.1 实验材料 | 第35页 |
| 3.2.2 实验设备 | 第35-37页 |
| 3.3 实验材料的固定及评价方法 | 第37-38页 |
| 3.3.1 硅片的固定 | 第37-38页 |
| 3.3.2 评价方法 | 第38页 |
| 3.4 抛光实验安排 | 第38-41页 |
| 3.4.1 基础实验安排 | 第38-39页 |
| 3.4.2 n-SiO_2/BGF复合磨粒抛光液抛光实验安排 | 第39-41页 |
| 3.5 基础实验结果比较 | 第41-43页 |
| 3.5.1 单一磨粒抛光液的抛光性能 | 第41-42页 |
| 3.5.2 单一、混合和复合磨粒抛光液对材料去除能力比较 | 第42-43页 |
| 3.6 复合磨粒抛光液抛光实验结果 | 第43-46页 |
| 3.6.1 不同吸附层数的复合磨粒抛光液对材料去除率的影响 | 第43-44页 |
| 3.6.2 复合磨粒抛光液中游离磨粒浓度对材料去除率的影响 | 第44-45页 |
| 3.6.3 聚合物微球的粒径对材料去除率的影响 | 第45-46页 |
| 3.7 本章小结 | 第46-48页 |
| 第4章 PE_i-SiO_2/BGF复合磨粒抛光液CMP实验研究 | 第48-54页 |
| 4.1 概述 | 第48页 |
| 4.2 抛光实验安排 | 第48-49页 |
| 4.3 PE_i-SiO_2/BGF复合磨粒抛光液抛光实验结果比较 | 第49-53页 |
| 4.3.1 不同聚电解质吸附层数的复合磨粒抛光液对材料去除率的影响 | 第49-50页 |
| 4.3.2 复合磨粒抛光液中游离磨粒浓度对材料去除率的影响 | 第50-52页 |
| 4.3.3 聚合物微球的粒径对材料去除率的影响 | 第52-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第5章 复合磨粒抛光液的抛光性能及机理分析 | 第54-64页 |
| 5.1 概述 | 第54页 |
| 5.2 两种复合磨粒抛光液实验结果的对比 | 第54-57页 |
| 5.2.1 吸附层数对材料去除率的比较 | 第54-55页 |
| 5.2.2 游离磨粒浓度对材料去除率的比较 | 第55-56页 |
| 5.2.3 聚合物微球粒径对材料去除率的比较 | 第56-57页 |
| 5.3 (?)100mm硅片的抛光实验分析 | 第57-58页 |
| 5.3.1 抛光实验安排 | 第57页 |
| 5.3.2 抛光实验结果的对比分析 | 第57-58页 |
| 5.4 复合磨粒的材料去除机理分析 | 第58-59页 |
| 5.5 聚电解质改性对复合磨粒抛光液稳定性的影响 | 第59-60页 |
| 5.6 硅晶片抛光后的表面质量 | 第60-62页 |
| 5.7 本章小结 | 第62-64页 |
| 第6章 结论与展望 | 第64-66页 |
| 6.1 结论 | 第64页 |
| 6.2 展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 攻读学位期间参加的科研项目和成果 | 第71页 |
