| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 前言 | 第5-6页 |
| 第一章 DRAM的应用、发展状况及工作原理 | 第6-14页 |
| ·DRAM的应用和发展状况 | 第6-14页 |
| 第二章 CMOS集成电路制造工艺的介绍 | 第14-17页 |
| 第三章 CMOS工艺中提高DRAM保持时间的各种方法 | 第17-19页 |
| 第四章 采用ALD工艺的Al_2O_3提高电容 | 第19-28页 |
| ·ALD工艺介绍及其特点 | 第19-20页 |
| ·AL_2O_3的电特性分析 | 第20-25页 |
| ·在量产过程中需要注意的一些问题 | 第25-28页 |
| 第五章 采用NH_3退火的方法减小耗尽层 | 第28-30页 |
| 第六章 采用双层堆栈的电容结构提高电容 | 第30-34页 |
| ·采用BPSG+TEOS的结构提高电容的高度 | 第30-33页 |
| ·在量产过程中需要注意的一些问题 | 第33-34页 |
| 第七章 采用CLD IMP工艺减小漏电流 | 第34-41页 |
| ·CLD IMP工艺减小漏电流的原理 | 第34-37页 |
| ·在量产过程中需要注意的一些问题 | 第37-41页 |
| 第八章 动态调整Vt控制亚阈值漏电流 | 第41-44页 |
| 结论 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 后记 | 第50-51页 |