| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 前言 | 第6-9页 |
| ·研究背景 | 第6页 |
| ·研究CMOS RFIC中衬底噪声的必要性及现状 | 第6-8页 |
| ·本文的研究意义 | 第8页 |
| ·本文的组织结构 | 第8-9页 |
| 第二章 CMOS工艺衬底噪声的产生,传播及衬底建模 | 第9-21页 |
| ·衬底噪声的产生机制 | 第9-13页 |
| ·由电源、地的键合线产生的衬底噪声 | 第9-12页 |
| ·由晶体管产生的衬底噪声 | 第12页 |
| ·由互联金属线引起的衬底噪声 | 第12-13页 |
| ·衬底建模 | 第13-21页 |
| ·轻掺杂衬底的建模原理 | 第13-15页 |
| ·轻掺杂衬底RC网络的精简 | 第15-16页 |
| ·SMIC 0.18um RF CMOS工艺的衬底模型 | 第16-21页 |
| 第三章 衬底噪声对VCO的影响 | 第21-30页 |
| ·LC-VCO的工作原理 | 第21-22页 |
| ·VCO的相位噪声以及对通信系统的影响 | 第22-25页 |
| ·衬底噪声对VCO影响的途径 | 第25-27页 |
| ·由P+保护环引入的衬底噪声 | 第25-26页 |
| ·由MOS晶体管引入的衬底噪声 | 第26页 |
| ·由电感引入的衬底噪声 | 第26-27页 |
| ·衬底噪声影响LC-VCO的原理 | 第27-30页 |
| 第四章 实验设计及测试结果分析 | 第30-51页 |
| ·衬底模型的精确性验证 | 第30-39页 |
| ·基本测试结构和测试环境简介 | 第30-32页 |
| ·测试数据处理(De-Embedding) | 第32-33页 |
| ·测试和仿真结果的比较 | 第33-39页 |
| ·衬底噪声对VCO性能的影响分析 | 第39-51页 |
| ·数字模块产生的衬底噪声对VCO性能影响实例 | 第39-43页 |
| ·减小衬底噪声的方法研究 | 第43-51页 |
| ·从噪声源头减小衬底噪声的产生 | 第44-47页 |
| ·隔离措施对衬底噪声的抑制 | 第47-51页 |
| 第五章 结论及展望 | 第51-52页 |
| ·本论文现阶段工作的总结 | 第51页 |
| ·可进一步研究的工作 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |