| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 1 绪论 | 第9-12页 |
| 1.1 背景及意义 | 第9页 |
| 1.2 国内外研究概况 | 第9-10页 |
| 1.3. 研究内容 | 第10-11页 |
| 1.4 论文的结构安排 | 第11-12页 |
| 2 LTCC基板制造技术研究 | 第12-21页 |
| 2.1 LTCC技术简介 | 第12-13页 |
| 2.2 LTCC工艺流程 | 第13-17页 |
| 2.3 薄膜布线用LTCC基板的设计与加工 | 第17-19页 |
| 2.3.1 薄膜布线用LTCC基板的特点 | 第17页 |
| 2.3.2 薄膜布线用LTCC基板的设计 | 第17-18页 |
| 2.3.3 薄膜布线用LTCC基板烧结工艺 | 第18-19页 |
| 2.4 几种特殊基板的制作工艺 | 第19-20页 |
| 2.4.1 空腔基板的制作 | 第19页 |
| 2.4.2 LTCC基板内埋置无源元件工艺技术 | 第19-20页 |
| 2.5 小结 | 第20-21页 |
| 3 LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术研究 | 第21-33页 |
| 3.1 LTCC基板表面研磨抛光工艺研究 | 第21-23页 |
| 3.1.1 LTCC基板表面研磨 | 第21-22页 |
| 3.1.2 聚酰亚胺薄膜层表而的抛光工艺研究 | 第22-23页 |
| 3.1.3 结合界面洁净处理工艺研究 | 第23页 |
| 3.2 LTCC上SPE细线工艺技术研究 | 第23-26页 |
| 3.3 LTCC上多层金属薄膜互连结构制作工艺技术研究 | 第26-32页 |
| 3.3.1 LTCC基板上多层金属薄膜互连技术 | 第26-28页 |
| 3.3.2 薄膜导体与介质材料的选用 | 第28页 |
| 3.3.3 LTCC及PI上的金属薄膜粘附层溅射淀积工艺技术 | 第28-29页 |
| 3.3.4 LTCC与PI膜上薄膜图形光刻工艺技术 | 第29-30页 |
| 3.3.5 主导体金属薄膜层和互连通孔柱层电镀加厚工艺技术 | 第30页 |
| 3.3.6 10μm厚PI介质层的制作工艺技术 | 第30页 |
| 3.3.7 LTCC上1～6层互连金属薄膜导体实验样品制作 | 第30-32页 |
| 3.4 小结 | 第32-33页 |
| 4 MCM-C/D组封装工艺技术 | 第33-47页 |
| 4.1 MCM-C/D键合组装工艺技术 | 第33-39页 |
| 4.1.1 成膜基片清洗 | 第33-34页 |
| 4.1.2 粘片工艺 | 第34-35页 |
| 4.1.3 衬底组装工艺技术 | 第35-36页 |
| 4.1.4 键合工艺技术 | 第36-38页 |
| 4.1.5 平行缝焊 | 第38-39页 |
| 4.2 IC芯片凸点制作及其倒装焊工艺技术 | 第39-41页 |
| 4.2.1 金球凸点电极制作工艺研究 | 第39-40页 |
| 4.2.2 倒装焊工艺研究 | 第40-41页 |
| 4.3 LTCC空腔内外元器件立体组装工艺技术 | 第41-43页 |
| 4.4 一体化BGA封装工艺技术 | 第43-47页 |
| 4.4.1 BGA焊接工艺研究 | 第43-44页 |
| 4.4.2 多层空腔一体化BGA封装外壳设计 | 第44-46页 |
| 4.4.3 一体化BGA封装外壳样品研制 | 第46-47页 |
| 5 MCM-C/D工艺应用实例 | 第47-54页 |
| 5.1 电路设计 | 第47-49页 |
| 5.2 结构和版图设计 | 第49-51页 |
| 5.3 样品试制 | 第51-53页 |
| 5.4 研制结果 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
